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Onsemi and Innoscience Announce Plans to Collaborate to Speed Global Rollout of GaN Power Portfolioonsemi announced it has signed a memorandum of understanding with Innoscience to explore expanding production of gallium nitride (GaN) power devices using Innoscience’s proven 200mm GaN-on-silicon process. The collaboration would combine onsemi’s system -
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英諾賽科攜手英偉達共建800伏直流電源架構，引領AI數據中心邁入兆瓦時代英諾賽科宣佈已於近日與全球AI技術領導者NVIDIA（“英偉達”）達成合作，聯合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規模化落地。 -
英諾賽科與聯合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術聯合實驗室，致力於新能源汽車電力電子系統開發全球領先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化鎵）製造供應商英諾賽科（香港聯交所代碼：02577.HK）與聯合汽車電子（以下簡稱：聯合電子）宣佈成立聯合實驗室，利用GaN技術在尺寸、重量和效率方面的優勢，開發先進的新能源汽車電力電子系統。 -
長城電源導入InnoGaN，實現AI數據中心能源系統重構長城電源已在其面向 AI 數據中心的鈦金級電源中採用 Innoscience 氮化鎵 (InnoGaN) 技術，實現了 96% 以上的超高電源轉換效率，超越全球最高80PLUS 鈦金級能效標準。 -
意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與製造協議雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議（JDA），共同構築面向AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域的功率電子技術的未來。 -
摩托羅拉強勢迴歸！Edge 40首創全鏈路GaN，實現快充自由服務器電源向更高功率爬升（從2kW到6kW）、光伏逆變器追求99%效率、車載OBC挑戰3.3kW/L甚至更高功率密度，電源設計工程師面臨着系統複雜、熱管理難、可靠性不穩定的三重焦慮。
