快充/適配器-英諾賽科官網

概述

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，已成為快充技術革命的核心。相比傳統硅，其擊穿電場高、電子遷移率快，允許快充適配器在更高頻率下運行，使其體積更小（功率密度大幅提升）、效率更高（能量損耗和發熱顯著降低）、功率更大，在確保安全的前提下，滿足用户對便攜性與快速補能的雙重需求。

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