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概述
BMS是保證電池安全運行的核心部件之一，MOS具有體二極管，無法實現雙向截止，傳統的BMS方案必須使用背靠背的MOS實現充放電保護，英諾賽科針對BMS應用場景，利用GaN天生沒有體二極管的特性，專門開發出VGaN系列產品，可以實現1顆GaN替換2顆MOS，導通電阻和發熱減半，温升降低的效果，顯著減小BMS功率迴路佔板面積，助力電池包小型化、輕量化， 在提升性能的同時，降低系統總成本，提升產品競爭力。
典型方案
16S/120A 低邊BMS解決方案
INNDBMS120LS4採用100V雙向VGaN實現充放電控制與保護，驅動信號由INS1011SD提供。16顆VGaN代替18對Si MOSFET（36顆），減小佔板面積和功率損耗，全面降低系統成本。
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篩選條件
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