可靠性本徵設計
INNO 基於器件應用電壓進行規格定義,最後通過可靠性設計餘量來保障。

Gate 可靠性設計能力

Drain 可靠性設計能力

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壽命模型
INNO 基於業內最保守的模型 E-Model 來進行模型建立和壽命推導來保障可靠性壽命。

Gate 壽命模型

Drain 壽命模型

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英諾賽科在全球 GaN 出貨量與可靠性數據規模方面居於領先地位

以超過 7.6 億等效器件運行小時的數據基礎,驗證了其產品在高電壓與高温環境下的長期穩定性與超低失效率。

最大的氮化鎵可靠性統計數據庫
最大的氮化鎵可靠性統計數據庫
Total 760+ Million Equivalent Device Hours @ 700 V and 150 0C through 2025
最低失效率 FIT
最低失效率 FIT
Total 0.15 FIT Rate @ 700 V and 100 0C through 2025
開啓新的氮化鎵應用
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