概述
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,憑藉其高頻特性、低導通損耗和優異的熱管理能力,為服務器電源帶來了革命性提升。它能將電源轉換效率推升至96%以上,顯著超越傳統鈦金能效標準,大幅降低數據中心能耗。同時,氮化鎵器件的高功率密度使電源體積縮小30%-50%,助力實現更高算力密度。其低發熱特性還能減少散熱需求,降低空調能耗,推動數據中心PUE向1.2以下突破,從器件級到系統級全面優化能效,為綠色低碳數據中心建設提供關鍵支撐。
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