英諾賽科是全球領先的第三代半導體氮化鎵芯片
與電源模塊設計、生產製造企業

英諾賽科的核心技術團隊由半導體和（電力）電子行業的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領先公司，在硅基氮化鎵技術的開發和大規模量產方面擁有豐富的經驗。

此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術領域擁有的潛力，並更加順利地推廣產品，英諾賽科還彙集了系統工程領域的專家，用於進行面向特殊應用和客户的開發板及其他電路系統的研製。

英諾賽科（Innoscience），旨在打造全球最大的採用全產業鏈模式，集設計、研發、生產和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產基地。

公司成立之初，英諾賽科的創始人就深知，如果想實現氮化鎵技術在市場上的廣泛應用，產品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規模推廣，還需要解決另外三個痛點：首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛採用。其次是具備大規模量產能力，以應對市場的爆發。第三，要確保器件供應鏈穩定，有了穩定的貨源供應，客户可以全心全意投入產品和系統的開發，無需擔心因氮化鎵器件供應戰略的變化而導致停產。因此，Innoscience 明白，只有擴大 GaN 器件的產能並擁有自主可控的生產線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規模推廣的三個痛點（價格、數量和供應安全）。

從一開始，英諾賽科就戰略性地將採用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數量比6英寸晶圓多80%。

今天，英諾賽科已實現了最初的規劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，採用最先進的8英寸生產工藝，是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。

我們能取得這些成就，離不開招銀國際、SK、ARM和CATL等合作方的支持。

我們設計、開發和製造涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件、面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵器件。

我們擁有先進的光刻技術，能生產線寬較小的器件，從而顯著提升器件的性能。我們為客户提供一站式服務，能滿足客户對高壓、低壓的各種需求。我們的大規模量產能力及8英寸先進生產工藝，能確保器件的穩定供應及合理價格。這些都是保障氮化鎵能夠大規模商業化應用的必要條件。

同時，我們持續創新與提升技術，保證英諾賽科始終走在氮化鎵領域的前沿。我們已經擁有完整的技術路線圖，能滿足客户不同應用方向的不同需求，同時也能針對客户的特殊需求定製解決方案。