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手機（OVP）
VGAN技術為手機過壓保護（OVP）帶來革新。氮化鎵無寄生體二極管，可實現受控的雙向開通與關斷，實現傳統兩顆 NMOS 對管才能實現的功能，其特殊結構實現了更高的功率密度和更低的導通電阻，能將OVP模塊做得極其小巧輕薄，輕鬆集成於手機有限空間。英諾賽科的VGaN產品也是全球首款導入手機內部的GaN芯片。
典型方案
VGaN for Circuit Protection評估板
INNEDD001A2是一款基於VGaN的輸入側電子開關評估板，主要功能是評估過壓保護（OVP）和過流保護（OCP）時的開關性能。一顆VGaN芯片可以替代兩顆MOSFET，佔板體積縮小64%，發熱降低85%。
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