- 雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議（JDA），共同構築面向AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域的功率電子技術的未來
- 英諾賽科可利用意法半導體在歐洲的製造產能，意法半導體可利用英諾賽科在中國的製造產能
日內瓦/蘇州，2025年3月31日 — 服務客户涵蓋電子應用全領域的全球半導體領軍企業意法半導體（紐交所股票代碼：STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）製造全球領軍企業英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣佈簽署了一項氮化鎵技術開發與製造協議，雙方將基於該協議充分發揮各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案性能和供應鏈韌性。
雙方達成聯合開發氮化鎵功率技術的共識，並在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域獲得廣泛應用的光明前景。此外，根據協議約定，英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區的前端製造產能生產其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可利用英諾賽科在中國的前端製造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同致力於拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力，並通過增強供應鏈佈局的靈活性和韌性，滿足所有客户對多樣化應用的需求。
意法半導體的模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產品部總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件製造商（IDM），此次合作將最大化發揮這一模式的優勢，惠及全球客户。一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術路線圖，以補充現有的硅和碳化硅產品供應體系；另一方面，意法半導體還將通過靈活的製造模式服務全球客户。”
英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。英諾賽科率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領域市場，我們對於與意法半導體達成戰略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力於開發下一代氮化鎵技術。”
氮化鎵功率器件憑藉其基礎材料特性，為電源轉換、運動控制與驅動系統樹立了性能新標杆，可顯著降低損耗、提升效率、縮小體積並減輕重量，從而降低整體解決方案的成本與碳足跡。這些功率器件已快速應用於消費電子、數據中心、工業電源與光伏逆變器領域，並因其在減小體積與重量上的顯著優勢，正被積極引入到下一代電動汽車動力系統的設計中。
關於意法半導體
意法半導體擁有5萬名半導體技術創作者與製造者，掌握覆蓋半導體全供應鏈的先進製造能力。作為垂直整合器件製造商，我們與超過20萬客户及數千合作伙伴共同設計開發產品、解決方案與生態系統，應對技術挑戰與市場機遇，助力更加可持續發展的需求。我們的技術驅動智能出行、高效能源管理及雲端互聯自主設備的大規模部署。公司計劃於2027年底前實現直接與間接排放（範圍1和2）、產品運輸、商務差旅及員工通勤碳排放（範圍3重點領域）的全面碳中和，並達成100%可再生能源用電目標。更多信息請訪問意法半導體公司網站www.st.com。
關於英諾賽科
英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK）是全球氮化鎵工藝創新與功率器件製造領導者。英諾賽科的器件設計與性能樹立了全球氮化鎵技術標杆，持續迭代創新的企業文化將加速氮化鎵性能提升與市場普及。公司的氮化鎵產品廣泛應用於低壓、中壓和高壓產品領域，涵蓋了從 15V至1200V的氮化鎵工藝節點。公司的晶圓、分立器件、集成功率集成電路（IC）以及模組產品為客户提供了強勁可靠的氮化鎵（GaN）解決方案。憑藉800項已授權及申請中的專利佈局，英諾賽科產品以高可靠性、性能與功能優勢，服務於消費電子、汽車電子、數據中心、可再生能源及工業電源領域，開創氮化鎵技術的光明未來。更多信息請訪問英諾賽科公司網站www.innoscience.com。
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