HVDC
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氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導體材料,憑藉超低損耗、高頻性能與出色的高壓適配能力,全面升級數據中心HVDC供電系統。
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針對AI算力集群800V HVDC供電架構,氮化鎵完美適配高壓高頻功率轉換場景。相較于傳統矽器件,其開關與導通損耗更低,轉換效率超98%,可有效减少鏈路能耗與散熱損耗,優化機房PUE、降低用電成本。憑藉MHz級高頻特性,氮化鎵可精簡電源元器件、實現供電模組小型化,拓展機櫃算力部署空間。其優异的動態響應可適配GPU負載波動,穩定供電幷降低基建與運維成本,助力綠色智能算力中心升級。
典型方案
12kW 800V-50V HVDC
12kW 800V-50V HVDC
12kW 800V-50V HVDC 方案采用All-GaN LLC 架構,方案滿載效率高達98.2%,峰值效率突破98.6%,高效緊凑適配液冷,作爲機櫃 IBC,助力 MGX 架構 AI 算力中心實現更低能耗、更高功率密度供電。
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