根據市調機構Canalys發佈的2023年第一季度全球智能手機重點市場廠商排名,聯想手機在歐洲、拉美等重點區域、以及全球五大市場之一巴西,均實現逆勢增長,其中歐洲市場佔有率近6年來首次挺進前五,一季度出貨量同比增長13%。這些成績主要來自聯想旗下摩托羅拉。
近期,摩托羅拉發佈了一系列新機,也得到了市場端的良好反饋。其中,5月10日發佈的 Edge 40 備受關注。該手機搭載全新的 6 納米工藝聯發科天璣 8020 芯片,不僅擁有出色的性能表現,還能有效降低功耗和發熱。配備了 8GB 的 LPDDR4X 內存和256GB的UFS 3.1存儲空間,內置 4400mAh 的電池,能夠滿足用户對於大內存、大存儲以及長續航的需求。同時,在屏幕刷新率和拍攝功能上也有顯著提升。
與以往不同的是,Edge 40 不僅標配了 68W 氮化鎵快充,還創新性地將氮化鎵芯片引入到手機內部電池主板。
聯想產品開發部 Allen 表示:
“近期摩托羅拉新機的發佈,在海外市場得到非常不錯的響應。此次 Edge 40 更是創新性的採用氮化鎵芯片實現了手機內、外部全鏈路快充,使手機空間利用率大幅提高,峯值發熱降低約85%,成為摩托羅拉手機在充電技術上的一次重大突破!”
據介紹,摩托羅拉Edge 40手機內部採用的英諾賽科 VGaN 雙向導通氮化鎵芯片(40V/4.8mΩ),其具備無體二極管、低導通阻抗等特性,到目前為止是全球唯一內置到手機主板,並實現終端量產的氮化鎵芯片。其原理是利用一顆VGaN 代替傳統手機內部的兩顆背靠背Si MOS,實現了更低導通損耗的手機電池充、放電功能,保證手機在充電過程中更高效,更安全。


Edge 40全鏈路 GaN 快充的發佈成為摩托羅拉手機發展歷程中的一次重要嘗試與突破。創新性在手機內部成功導入 GaN 芯片,實現了更低導通損耗的手機電池充、放電功能,不僅提高充電效率,降低電池損耗,還大大節省了手機內部寶貴的空間。同時推出 68W 氮化鎵標配充電器,從外部實現高效充電,緩解續航焦慮,共同為消費者提供全鏈路快充的絕佳體驗。
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