• CBP的裁定允許美國市場進口英諾賽科的GaN産品，爲英諾賽科掃除了EPC發起337調查案所設的障礙
• CBP的裁定確認了英諾賽科新一代氮化鎵GaN功率半導體産品（産品型號含“AD”後綴）不受有限排除令（LEO）的限制

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中國·蘇州，2026年3月13日 —— 英諾賽科（HKEX:02577.HK），一家致力于打造高性能、高性價比矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率半導體産品的全球製造領導者，作出如下通告：美國海關與邊境保護局（CBP）就英諾賽科與EPC的涉案流程所作出的裁定再次確認了英諾賽科的新一代半導體産品不受有限排除令（LEO）的限制，該有限排除令由ITC于337-TA-1366案中發布。美國CBP的裁定爲美國市場進口英諾賽科所産的高能效、高功率密度的GaN産品清除了障礙，該産品將賦能于AI數據中心、機器人、光伏微型逆變器及電動車電源系統等領域的技術創新。CBP裁定的發布日期爲2026年2月20日，公開版本的報告可查閱此處：CBP公開報告。

案件背景： 2023年5月，EPC發起針對英諾賽科的訴訟，指控英諾賽科侵犯了EPC的美國專利第8,350,294號專利（US'294）以及其它3項美國專利（總計4項涉案專利）。在隨後的案件調查階段，EPC撤回了其中兩項專利的指控和針對第三項專利的指控，美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科不侵權。隨後，美國專利商標局（US PTO）發布最終裁决，宣布US'294專利的全部12項權利要求無效，這再次表明EPC發起對英諾賽科的不實指控已全部喪失權利基礎。

該有限排除令目前僅適用于英諾賽科所産的舊款氮化鎵（GaN）芯片，重點强調的是：即便采用這些舊款氮化鎵GaN産品，該有限排除令對于産品的PCBA在美國境外完成後才進入到美國市場的電源産品客戶無任何影響。

現階段，ITC的裁定及USPTO關于US’294專利無效的最終决定均處于上訴程序中。美國聯邦巡迴上訴法院後續發布的推翻ITC裁决的結果或者維持USPTO關于該專利無效的决定都將使該有限排除令被永久撤銷。

特此說明：自2026年2月20日起，英諾賽科在美國境內開展新一代産品（産品型號含“AD”後綴）的製造、使用、銷售、許諾銷售及進口等相關業務不受任何限制。

英諾賽科認同美國海關與邊境保護局（CBP）的裁定幷認爲該裁定的影響對我們的客戶以及整個氮化鎵（GaN）行業都是積極的。該裁定再次驗證了英諾賽科先進技術的法律正當性，同時也印證了英諾賽科致力于爲客戶提供可靠、高性能、高性價比的氮化鎵産品的承諾。

關于英諾賽科

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