英諾賽科SolidGaNTM 新品發布，覆蓋消費、工業、汽車全場景-英諾賽科官網

英諾賽科SolidGaNTM 新品發布，覆蓋消費、工業、汽車全場景

2026年03月09日

在高效能電源設計的浪潮中，氮化鎵技術正以前所未有的速度重塑行業格局。近期，英諾賽科四款SolidGaN 産品全新發布，基于第三代InnoGaN 技術打造，涵蓋中小功率消費電子、大功率工業電源及車規級應用，全面滿足多場景高效、高可靠電源需求。

四款産品除了延續 InnoGaN 器件高速、高效、高功率密度的性能，更在系統兼容性、可靠性、易用性上實現重要突破，助力客戶以最小改動，最快速度擁抱 InnoGaN帶來的性能飛躍。

ISG613xATK / ISG613xATJD：無縫替換MOS，中小功率電源升級首選

專爲希望從傳統 Si MOSFET 平滑升級至 GaN 方案的客戶設計。提供 TO-252 與 TO-220F 兩種行業主流封裝，引脚完全兼容，無需更改PCB布局與控制器，即可直接替換，大幅降低升級門檻與風險。

核心亮點：

完美兼容：直接兼容現有 Si MOS 控制器與驅動電路
集成保護：內置栅極鉗位與短路保護，提升系統魯棒性
性能躍遷：憑藉 GaN 的零反向恢復與低開關損耗，顯著提升效率與功率密度

該系列産品可應用于中小功率 PFC、QR 反激、AHB、LLC 等 AC-DC 拓撲，是適配器、電視機電源、工業輔助電源等場景的理想升級方案。

ISG6122ATD/TA/TP 系列：靈活封裝，賦能大功率高可靠應用

面向服務器電源、數據中心、光伏儲能、車載 OBC/DCDC 等大功率、高可靠性要求的應用場景。提供 TO-247-4L（插件），TOLL 底部散熱貼片，TOLT頂部散熱貼片，共三種主流大功率封裝，客戶可根據生産工藝與散熱需求靈活選擇。

核心亮點：

强抗干擾：具備 100V/ns 的 dv/dt 抗擾能力，集成米勒鉗位，確保在複雜 EMI 環境下的穩定運行
靈活之選：三種封裝形態，兼顧高性能與生産便利性
即插即用：同樣兼容現有 MOSFET 控制器，加速方案導入

ISG6122ATD/TA/TP系列可用于大功率 AC-DC、DC-DC 轉換器，是服務器電源、光伏逆變器、儲能 PCS 及車載高壓電源提升效率與功率密度的關鍵器件。

ISG6127ATP-Q：車規級品質，專爲嚴苛車載環境而生

ISG6127ATP-Q在 ISG6122A 高性能的基礎上，通過了AEC-Q100車規認證，進一步滿足汽車電子對可靠性的極致要求，推動 GaN 在車載 OBC 和 DCDC 中的規模化應用。

核心亮點：

車規認證：全面符合 AEC-Q100 可靠性標準
車載優化：采用更利于散熱設計的頂部散熱貼片封裝，適應汽車空間與熱管理要求
雙重保障：100V/ns dv/dt 抗擾結合集成米勒鉗位，保障車載惡劣電氣環境下的絕對安全

可應用于車載OBC、車載 DC/DC 轉換器，助力電動汽車實現更快速充電、更高能量轉換效率與更緊凑的電源設計。

ISG6118TM：高度集成，重新定義高效PD快充

針對 Inbox 適配器、PD 充電器等對成本、效率、尺寸極度敏感的消費電子市場，推出的高性能、高集成度、高性價比的合封芯片解决方案。

核心亮點：

業界高集成：單芯片集成 230mΩ GaN、栅極驅動器及高精度無損電流檢測，省去外部分流電阻，進一步提升效率
極致輕載能效：待機電流低至 50μA，休眠電流低于 10μA，輕鬆滿足全球嚴苛的能效法規：零功耗標準
卓越 EMI 性能：內部優化 dV/dt 與 dI/dt，簡化外圍濾波設計
散熱優异：采用帶接地散熱焊盤的 TO252-4L 封裝

典型應用：PD 快充適配器、LED 智能照明、太陽能微型逆變器等，是打造小巧、高效、節能消費類電源産品的核心利器。

此次發布的四款SolidGaN 合封新品（除 ISG6118TM 爲驅動器+GaN 合封）均兼容現有 MOSFET 方案，極大降低客戶從“矽”向“氮化鎵”演進的技術風險與時間成本。同時産品所具備的集成短路保護、栅極/米勒鉗位等多項保護功能，結合優化的抗干擾設計，可確保系統在各種極端工况下的穩定運行。