隨著筆記本、游戲主機、電動兩輪車、機器人、工業設備等終端持續升級，市場對中大功率 AC-DC 電源的效率、體積、功率密度與穩定性提出更加嚴苛的要求。基于第三代半導體GaN零反向恢復電荷、低開關損耗、高開關頻率等特性，英諾賽科推出兩款All GaN（全氮化鎵）電源參考設計，功率覆蓋140W 和1kW，適配中功率PD快充、機器人、電動摩托車、通信等大功率電源領域，爲客戶提供高性能、小體積的電源解决方案，加速産品落地，搶占市場先機。

INNDAD140C1 140W PFC+AHB AllGaN PD

該方案爲中功率PD3.1快充，專爲筆記本電腦、游戲主機、高性能便携設備打造。采用PFC+AHB兩級高效拓撲，主功率回路全鏈路搭載英諾賽科自研GaN器件，兼顧小體積、高效率與寬電壓適配，是消費類適配器的優選設計。

1. 核心參數一覽

• 輸入電壓：90–264Vac
• 最高輸出：28V/5A 滿配140W
• 轉換效率：94.25% @90Vac，峰值效率達96.21% @264Vac
• 功率密度：31.86W/in³，PCBA尺寸僅60×60×20(mm)
• 待機功耗：100mW@230Vac
• 開關頻率：PFC最高140kHz，AHB最高130kHz
• 溫升表現：PFC電感最高92.1℃，變壓器81.1℃，散熱均衡
• 合規認證：滿足EN55022 EMI標準，適配量産安規認證

2. 兩級高效拓撲PFC+AHB+SR

采用PFC+ AHB+ SR經典高效架構，All GaN（全鏈路氮化鎵芯片）加持，從源頭降低開關損耗、縮小體積。

• PFC功率因數校正

搭載700V合封氮化鎵ISG6117TM（700V/210mΩ，TO252-4L封裝），內置無損電流檢測，有效降低導通損耗，顯著提升低壓90Vac工况效率。

• AHB不對稱半橋

采用集成驅動的700V半橋 GaN器件ISG6233AQH（700V/130mΩ，QFN6×8封裝），驅動電壓支持8~20V，且高度集成化，外圍電路簡單，有利于系統小型化。。

• SR同步整流

搭配100V低壓氮化鎵INN100EBD035DAD（En-FCLGA 5×6封裝），封裝方便生産加工，接受度更友好，導通電阻僅3.5mΩ，大幅削减後端整流損耗，適配高頻大電流工作場景。

3. 主流應用場景

• 140W PD3.1筆記本電腦快充電源
• 游戲主機、高性能便携設備適配器

INNDAD1K0A1 1KW PFC+LLC All GaN 設計

1KW AC-DC電源參考設計針對機器人、電動摩托車、網通設備等500-1KW中大功率場景而開發。方案采用無橋圖騰柱PFC+高頻LLC架構，主功率管全部采用英諾賽科GaN器件（All GaN），突破傳統矽基電源效率與功率密度瓶頸，爲客戶提供高性能、小體積的電源解决方案，加速産品落地，搶占市場先機。。

1. 核心參數一覽

• 輸入電壓：90–264Vac
• 輸出規格：36~54.6V，典型值48V；低壓90Vac~176Vac輸入支持 500W，高壓176Vac~264Vac輸入滿功率1kW
• 轉換效率：峰值效率97.1%，90Vac滿載效率95.1%，全工况能效表現優异
• PCBA 尺寸：143×70×27(mm)
• 功率密度：60.6W/in³
• 開關頻率：PFC 典型 62.5kHz，LLC 工作頻率 200–600kHz

2. 無橋圖騰柱PFC+LLC+同步整流架構

該方案采用無橋圖騰柱PFC+高頻LLC+同步整流架構，整體方案效率高，是大功率電源主流高性能拓撲。

• 無橋圖騰柱PFC

采用2顆INN650TA050C+2顆ISG6123TA。氮化鎵器件栅極電荷低、零反向恢復電荷，可大幅降低開關、驅動損耗，適配CCM圖騰柱PFC拓撲；ISG6123TA集成驅動鉗位，支持10~24V驅動電壓，擁有過流、過溫、米勒鉗位多重保護，抗干擾性强，可兼容Si MOS驅動IC與控制器。

• 高頻LLC諧振變換器

采用2顆TOLL封裝高壓GaN INN650TA080BS，自帶SK引脚，削弱寄生參數影響。相比同導通電阻Si MOS，器件電荷參數更優，可减小死區與勵磁電流，降低損耗，適配高頻運行，縮小變壓器、電感體積。

• 同步整流SR

采用2顆EN-FCLGA 5*6封裝低壓GaN INN150EB022EAD，封裝兼容DFN5*6矽MOS，導通電阻、熱阻表現優异，方便PCB布綫散熱。相較同規格Si MOS，開關損耗更低，支持高頻工作，提升整機功率密度。

3. 主流應用場景

• 機器人、機器狗整機充電器
• 電動摩托車、兩輪車大功率電池充電器
• 通信網通設備、大功率植物照明電源

從140W中功率快充，到1KW大功率電池充電器及適配器，英諾賽科以自研氮化鎵技術持續拓寬AC-DC電源的性能邊界。無論是打造輕薄高效的快充適配器，還是研發高可靠、小型化的大功率電源，均可參考英諾賽科全新發布的兩大 All GaN 參考設計。

如需完整Demo資料、器件選型清單，請點擊英諾賽科應用方案查看；技術對接與方案定制，歡迎通過郵件（MARCOM@innoscience.com）諮詢。