2026年6月19日 —— 英諾賽科宣布，根據慕尼黑地區法院於17日作出的兩項裁決，英諾賽科當前銷售的氮化鎵（「GaN」）功率器件產品不落入英飛凌主張的德國專利保護範圍，因而在德國不受限制。

上述裁決與美國國際貿易委員會（「ITC」）上月作出的全體一致裁決高度一致。ITC已認定英諾賽科現有產品未侵犯英飛凌主張的一項涉及封裝設計的美國專利（美國第9,899,481號專利）。慕尼黑地區法院此次審理的正是該專利的德國同族專利(一項發明專利和一項實用新型)。與ITC的結論一致，慕尼黑法院僅認定小部分歷史產品——即某些額定電壓為650V至700V的封裝電晶體產品——構成侵權，而這些產品此前已退出市場。因此，相關禁令不涉及現有產品，對英諾賽科在德國的經營及其客戶對相關產品的使用不產生任何實質性影響。

此次德國裁決，標誌著英諾賽科在全球主要司法轄區的持續性勝利再獲突破——繼上週在中國成功獲得針對英飛凌的銷售禁令及侵權賠償裁判，以及上月在美國ITC取得決定性勝利之後，英諾賽科在德國再度確認其現有產品的合法性和商業自由。

儘管德國相關程序（包括英諾賽科針對英飛凌德國專利提起的無效挑戰）仍在推進中，但一系列跨法域裁決已清晰表明，這場由英飛凌最初發起的全球訴訟攻勢不僅未能改變市場競爭格局，反而從多個司法體系獨立印證了英諾賽科的創新能力，客觀上強化了市場對英諾賽科技術實力與產品合規性的信心。

英諾賽科將繼續堅定推進技術創新與全球市場拓展，在公平競爭的環境中為客戶提供領先的GaN解決方案。