英諾賽科宣佈新產品發佈：採用 TO-247-4L 封裝、集成柵極驅動和短路保護的 GaN 功率 IC，適用於需要高功率密度和高效率的大功率應用。

ISG612xTD SolidGaN IC

ISG612xTD SolidGaN IC 是 700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 範圍為 22mΩ 至 59mΩ（最大 25C）。ISG612xTD 系列採用精密 Vgs 集成柵極驅動器、快速短路保護和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些部件使系統設計人員能夠實現具有 Titanium Plus 效率的高頻開關，功率密度比傳統解決方案高 2 到 3 倍。

產品包含

• ISG6121TD
• ISG6122TD
• ISG6123TD
• ISG6124TD

該系列還配備內置保護功能，包括 DESAT 保護、輸入 UVLO 和 OTP，可提高數據中心和工業電源、太陽能微型逆變器和電動汽車車載充電器的系統可靠性。

產品性能

• 集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
• 兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換
• 10V~24V輸入電壓範圍支持主流驅動器和控制器生態
• 內置米勒鉗位，無需負壓關斷，支持高達100V/ns開關速度
• 集成短路保護，欠壓保護，過温保護，增加系統魯棒性 

應用優勢

• 高開關頻率
• 高功率密度
• 高散熱能力
• 高抗幹擾能力
• 簡單易用
• 高可靠性

應用領域

• 適合500W-6.6kW大功率電源和馬達驅動
• 可廣泛應用於服務器電源，空調電源，汽車OBC

作為行業首發的大功率合封氮化鎵產品，ISG612XTD SolidGaN IC將先進的700V E型GaN FET無縫集成，為電力電子的性能、易用性和可靠性設定了全新標準，有望成為高效率、高安全性的終端應用系統的關鍵器件。