5月9日，由珠海市半導體行業協會主辦，以“芯驅動·引未來”為主題的“2024珠海集成電路產業年會暨高質量發展論壇”在珠海新駿景萬豪酒店成功舉辦。政府部門、集成電路上下游企業、專家與技術骨幹、投融資機構等嘉賓共聚年會，圍繞先進封裝、新型顯示、芯片設計等行業熱點分別進行了開幕式演講、集成電路行業數據分享、行業優秀企業頒獎和創新產品發佈等環節，共同探討了產業新技術與未來發展。

會上，英諾賽科受邀參與了新品發佈活動。同時憑藉科技創新能力和2023年領先的市場進展，榮獲四大獎項。

創新產品發佈

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵研發與製造基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、高低壓氮化鎵芯片與合封氮化鎵產品。發佈會現場，英諾賽科產品部崔嘉傑分別對低壓雙向導通VGaN、高壓TOLL封裝以及高壓合封氮化鎵系列進行分享。

INV100FQ030A

100V雙向導通器件，採用 4mmX6mm FCQFN封裝，具備雙向導通能力和超低導通電阻的特性，適用於BMS管理系統、雙向變換器的高側負荷開關、電源系統中的開關電路等應用。能夠大幅減少器件數量，縮小佔板面積，降低整體系統成本。

INN650TA030AH

650V/TOLL封裝增強型GaN功率器件，具備超高開關速度，零反向恢復，超低柵級電荷和輸出電容，集成ESD保護的特點，適用於大功率變換器，如：數據中心電源、工業開關電源、光伏逆變器、儲能系統 ES和電機驅動等應用。能夠提升功率轉換效率和功率密度，實現高頻開關，並達到系統級降本等優勢。

ISG610xQA

新一代700V氮化鎵合封產品系列，主要應用於消費類電子領域，如手機/平板/筆記本快充應用。該產品系列集成了 700V/140mΩ-450mΩ氮化鎵功率器件，自適應驅動電路，無損電流採樣，以及眾多保護功能；它具備零反向恢復電荷，2MHz高開關頻率，高達80V輸入電壓和115uA低靜態電流等優越特性，能夠自適應控制器，幫助充電器實現更小體積和更大充電功率。

四大獎項榮譽

英諾賽科作為氮化鎵行業的引領者，始終堅持科技創新，不斷開發出革命性的新產品，憑藉2023年度優秀的業績，在本次活動中榮獲四項獎項，包括2023年度“珠海市最具成長性集成電路企業”、“珠海市集成電路行業傑出人物”、“珠海市創新集成電路人才”、“珠海市最佳集成電路技術創新產品（INN100W032A)”。

未來，英諾賽科將持續推進消費電子、數據與計算、新能源、智能汽車、工業與家電等領域的應用，提高氮化鎵的市場滲透率，推動行業發展，成為全球功率半導體領域的領先企業，為珠海產業高質量發展、為中國第三代半導體產業高質量發展貢獻力量。