11月25日，由AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen 2025）在深圳举行。同期举办“2025年度全球电子成就奖”颁奖典礼。英诺赛科100V氮化镓芯片（INN100EA035A）凭借在AI数据中心、机器人等前沿领域的技术创新与市场表现，被评选为年度功率半导体产品。

获奖产品INN100EA035A采用创新双面散热En-FCLGA封装技术，在散热性能和功率密度方面实现重大突破。该芯片具备低导阻、低栅极电荷、低开关损耗及零反向恢复电荷等优异特性，可帮助系统损耗降低35%以上，成为AI数据中心服务器、48V DC-DC电源传输等高性能应用场景的理想选择。

产品亮点

• 创新双面散热封装技术

• 系统损耗降低35%以上

• 卓越的散热性能与功率密度

• 适用于AI数据中心、48V电源系统等高端应用

全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）以其严格的评选标准和权威性享誉业界，旨在表彰在全球电子产业创新中做出杰出贡献的企业与产品。此次获奖，是行业对英诺赛科技术创新实力与产品卓越性能的再次肯定。

作为氮化镓技术的领航者，英诺赛科将持续深耕功率半导体领域，以创新技术推动氮化镓在各行各业的广泛应用，为全球电子产业的高效化、绿色化发展注入新动力。