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概述
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，凭借其高频特性、低导通损耗和优异的热管理能力，为服务器电源带来了革命性提升。它能将电源转换效率推升至96%以上，显著超越传统钛金能效标准，大幅降低数据中心能耗。同时，氮化镓器件的高功率密度使电源体积缩小30%-50%，助力实现更高算力密度。其低发热特性还能减少散热需求，降低空调能耗，推动数据中心PUE向1.2以下突破，从器件级到系统级全面优化能效，为绿色低碳数据中心建设提供关键支撑。
典型方案
12kW 800V-50V HVDC
12kW 800V-50V HVDC 方案采用All-GaN LLC 架构，方案满载效率高达98.2%，峰值效率突破98.6%，高效紧凑适配液冷，作为机柜 IBC，助力 MGX 架构 AI 算力中心实现更低能耗、更高功率密度供电。
更多方案
筛选条件
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