概述
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,凭借其高频特性、低导通损耗和优异的热管理能力,为服务器电源带来了革命性提升。它能将电源转换效率推升至96%以上,显著超越传统钛金能效标准,大幅降低数据中心能耗。同时,氮化镓器件的高功率密度使电源体积缩小30%-50%,助力实现更高算力密度。其低发热特性还能减少散热需求,降低空调能耗,推动数据中心PUE向1.2以下突破,从器件级到系统级全面优化能效,为绿色低碳数据中心建设提供关键支撑。
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