可靠性本征设计以及寿命模型以及FIT

可靠性本征设计
INNO 基于器件应用电压进行规格定义，最后通过可靠性设计余量来保障。

Gate 可靠性设计能力

Drain 可靠性设计能力

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寿命模型
INNO 基于业内最保守的模型 E-Model 来进行模型建立和寿命推导来保障可靠性寿命。

Gate 寿命模型

Drain 寿命模型

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英诺赛科在全球 GaN 出货量与可靠性数据规模方面居于领先地位

以超过 7.6 亿等效器件运行小时的数据基础，验证了其产品在高电压与高温环境下的长期稳定性与超低失效率。

最大的氮化镓可靠性统计数据库
最大的氮化镓可靠性统计数据库
Total 760+ Million Equivalent Device Hours @ 700 V and 150 0C through 2025
最低失效率 FIT
最低失效率 FIT
Total 0.15 FIT Rate @ 700 V and 100 0C through 2025

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