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10年，15亿颗
氮化镓累计出货
氮化镓累计出货
2015年
12月，英诺赛科公司成立
2017年
12月，珠海工厂建成通线
2018年
7月，第一片合格wafer下线
2019年
6月，低压氮化镓产品量产；高压氮化镓产品通过JEDEC标
8月，高压产品量产
2020年
6月，高压产品出货1百万颗；低压产品出货5百万颗
9月，苏州工厂建成
2021年
4月，英诺赛科获得车规IATF 16949:2016 证书
6月，苏州工厂通线量产；8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破1000万颗
11月，高压/低压产品出货量超过4千万颗；美国，欧洲，韩国研发中心设立
2022年
7月，首次将氮化镓应用于手机内部，创新性双向开关，替代2颗硅器件
9月，首次将氮化镓应用于新能源汽车电池制造环节
10月，8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破1亿颗
2023年
4月，8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破2亿颗
8月，8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破3亿颗
11月，研发楼建成、启用
12月，8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破5亿颗
2024年
12月，英诺赛科在香港交易所上市