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Onsemi and Innoscience Announce Plans to Collaborate to Speed Global Rollout of GaN Power Portfolioonsemi announced it has signed a memorandum of understanding with Innoscience to explore expanding production of gallium nitride (GaN) power devices using Innoscience’s proven 200mm GaN-on-silicon process. The collaboration would combine onsemi’s system -
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英诺赛科携手英伟达共建800伏直流电源架构，引领AI数据中心迈入兆瓦时代英诺赛科宣布已于近日与全球AI技术领导者NVIDIA（“英伟达”）达成合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。 -
英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室，致力于新能源汽车电力电子系统开发全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科（香港联交所代码：02577.HK）与联合汽车电子（以下简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。 -
长城电源导入InnoGaN，实现AI数据中心能源系统重构长城电源已在其面向 AI 数据中心的钛金级电源中采用 Innoscience 氮化镓 (InnoGaN) 技术，实现了 96% 以上的超高电源转换效率，超越全球最高80PLUS 钛金级能效标准。 -
意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议（JDA），共同构筑面向AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域的功率电子技术的未来。 -
摩托罗拉强势回归！Edge 40首创全链路GaN，实现快充自由服务器电源向更高功率爬升（从2kW到6kW）、光伏逆变器追求99%效率、车载OBC挑战3.3kW/L甚至更高功率密度，电源设计工程师面临着系统复杂、热管理难、可靠性不稳定的三重焦虑。
