英诺赛科是全球领先的第三代半导体氮化镓芯片
与电源模块设计、生产制造企业

英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。 他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。

此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。

英诺赛科（Innoscience），旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN ）的生产基地。

司成立之初，英诺赛科的创始人就深知，如果想实现氮化镓技术在市场上的广泛应用，产品的性能和可靠性只是根本。氮化镓功率电子器件在市场上要进行大规模推广，还需要解决另外三个痛点：首先是成本，具备合理的价格才能被广泛采用。其次是具备大规模量产能力，以应对市场的爆发。第三，要确保器件供应链稳定，有了稳定的货源供应，客户可以全心全意投入产品和系统的开发，无需担心因氮化镓器件供应战略的变化而导致停产。因此，Innoscience 明白，只有扩大 GaN 器件的产能并拥有自主可控的生产线，才有可能解决氮化镓功率电子器件在市场上进行大规模推广的三个痛点（价格、数量和供应安全）。

从一开始，英诺赛科就战略性地将采用8英寸晶圆，与6英寸相比，8英寸晶圆的器件数量比6英寸晶圆多80%。

今天，英诺赛科已实现了最初的规划。目前，公司拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。

我们能取得这些成就，离不开招银国际、SK、ARM和CATL等合作方的支持。

我们设计、开发和制造涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件、面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓器件。

我们拥有先进的光刻技术，能生产线宽较小的器件，从而显著提升器件的性能。我们为客户提供一站式服务，能满足客户对高压、低压的各种需求。我们的大规模量产能力及8英寸先进生产工艺，能确保器件的稳定供应及合理价格。这些都是保障氮化镓能够大规模商业化应用的必要条件。

同时，我们持续创新与提升技术，保证英诺赛科始终走在氮化镓领域的前沿。我们已经拥有完整的技术路线图，能满足客户不同应用方向的不同需求，同时也能针对客户的特殊需求定制解决方案。