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概述
BMS是保证电池安全运行的核心部件之一，MOS具有体二极管，无法实现双向截止，传统的BMS方案必须使用背靠背的MOS实现充放电保护，英诺赛科针对BMS应用场景，利用GaN天生没有体二极管的特性，专门开发出VGaN系列产品，可以实现1颗GaN替换2颗MOS，导通电阻和发热减半，温升降低的效果，显著减小BMS功率回路占板面积，助力电池包小型化、轻量化， 在提升性能的同时，降低系统总成本，提升产品竞争力。
典型方案
16S/120A 低边BMS解决方案
INNDBMS120LS4采用100V双向VGaN实现充放电控制与保护，驱动信号由INS1011SD提供。16颗VGaN代替18对Si MOSFET（36颗），减小占板面积和功率损耗，全面降低系统成本。
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