概述
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,已成为快充技术革命的核心。相比传统硅,其击穿电场高、电子迁移率快,允许快充适配器在更高频率下运行,使其体积更小(功率密度大幅提升)、效率更高(能量损耗和发热显著降低)、功率更大,在确保安全的前提下,满足用户对便携性与快速补能的双重需求。
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DEMO说明书
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文档
应用指南
名称/描述
AN001 高压 InnoGaN 驱动设计指导
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AN002 低压 InnoGaN 驱动设计指导
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AN003 InnoGaN 电源 EMC 设计指导
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AN004 低压 InnoGaN 并联设计指导
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AN005 InnoGaN 开关特性介绍
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AN006 InnoGaN Layout 设计指导
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AN007 InnoGaN 器件特性介绍
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AN008 InnoGaN 器件模型介绍和仿真应用指导
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AN009 InnoGaN 热设计指导
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AN010 HV InnoGaN 小功率并联设计指导
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AN011 HV InnoGaN 大功率并联设计指导
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AN012 InnoGaN 应用 Quick Start 及常用注意事项
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