概述
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,已成为快充技术革命的核心。相比传统硅,其击穿电场高、电子迁移率快,允许快充适配器在更高频率下运行,使其体积更小(功率密度大幅提升)、效率更高(能量损耗和发热显著降低)、功率更大,在确保安全的前提下,满足用户对便携性与快速补能的双重需求。
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开启新的氮化镓应用