快充/适配器-英诺赛科官网

概述

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，已成为快充技术革命的核心。相比传统硅，其击穿电场高、电子迁移率快，允许快充适配器在更高频率下运行，使其体积更小（功率密度大幅提升）、效率更高（能量损耗和发热显著降低）、功率更大，在确保安全的前提下，满足用户对便携性与快速补能的双重需求。

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