手机(OVP)
VGAN技术为手机过压保护(OVP)带来革新。氮化镓无寄生体二极管,可实现受控的双向开通与关断,实现传统两颗 NMOS 对管才能实现的功能,其特殊结构实现了更高的功率密度和更低的导通电阻,能将OVP模块做得极其小巧轻薄,轻松集成于手机有限空间。英诺赛科的VGaN产品也是全球首款导入手机内部的GaN芯片。
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DEMO说明书
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文档
应用指南
名称/描述
AN001 高压 InnoGaN 驱动设计指导
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AN002 低压 InnoGaN 驱动设计指导
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AN003 InnoGaN 电源 EMC 设计指导
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AN004 低压 InnoGaN 并联设计指导
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AN005 InnoGaN 开关特性介绍
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AN006 InnoGaN Layout 设计指导
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AN007 InnoGaN 器件特性介绍
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AN008 InnoGaN 器件模型介绍和仿真应用指导
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AN009 InnoGaN 热设计指导
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AN010 HV InnoGaN 小功率并联设计指导
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AN011 HV InnoGaN 大功率并联设计指导
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AN012 InnoGaN 应用 Quick Start 及常用注意事项
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