英诺赛科在全球领先量产8英寸GaN-on-Si外延技术，标志着从6英寸到8英寸全链条先进工艺的跨越。这一升级显著提升产能，降低单位成本，推动GaN器件各行各业的规模化应用。完备的8英寸产业链不仅巩固了全球量产能力领先地位，为全球半导体产业提供高效可靠的解决方案。

英诺赛科以充足氮化镓产能构筑全球交付新标杆，通过智能化产线升级与供应链协同，实现产品供应稳定高效。强大的交付能力已赢得国际大客户广泛信赖，成为全球氮化镓产业链核心供应商。从订单响应到准时交付，以全流程管控确保品质与时效，持续巩固”氮化镓交付能力全球领先"的领先地位。

英诺赛科作为全球氮化镓技术领导者，率先突破ASML光刻机先进制程壁垒，成为目前领先掌握该技术的氮化镓企业。凭借独创的晶圆级封装工艺，我们同时实现高低压器件规模化量产，技术指标领跑行业。基于完整的技术矩阵，可为客户提供从芯片设计到系统集成的充电产品一站式解决方案。