突破性能極限！英諾賽科發佈低壓GaN 200A電機系統方案-英諾賽科官網

突破性能極限！英諾賽科發佈低壓GaN 200A電機系統方案

2025年11月18日

在機器人、無人機、低壓大功率伺服驅動等應用場景中，高效率、高功率密度的電機驅動方案一直是行業追求的焦點。面對日益增長的低壓大功率電機驅動需求，傳統硅基器件在開關頻率、導通損耗和温升方面逐漸觸及瓶頸。

英諾賽科最新推出的 INNDMD72V200A1 低壓GaN電機驅動方案採用4顆並聯的InnoGaN INN100EBD018EAD，搭配INS2040QC作為驅動芯片，集高性能、高集成度與高可靠性於一體，充分釋放GaN器件在低壓大電流應用中的潛力，完美適配大功率伺服應用對高性能電機驅動的需求。

為什麼選擇GaN?

英諾賽科基於低壓GaN HEMT技術推出的低壓GaN驅動方案- INNDMD72V200A1，不僅驗證了GaN在多管並聯結構下的損耗與熱表現，還搭載了FOC無感算法，支持實時電機測試，為方案落地提供了充分的數據支撐。

核心參數

方案名稱：INNDMD72V200A1
尺寸：185 × 100 × 28 (mm)
應用器件：
INS2040QC × 3（驅動IC） INN100EBD018EAD × 24（GaN分立器件）
輸入電壓範圍：48Vdc-72Vdc
可持續輸出相電流有效值（RMS）：200A Max
拓撲結構：三相逆變電路
控制方式：FOC無位置傳感器算法 + 低邊電流採樣

系统框图

性能亮點

強大的帶載能力

—— 72V母線 + 自然冷卻：最大相電流 90.8Arms
—— 72V母線 + 5m/s風冷：最大相電流 203.7Arms
—— 48V母線 + 自然冷卻：最大相電流 96.2Arms

在保證散熱能力的前提下，該方案顯著提升了系統的功率密度，適用於對體積和效率都有嚴苛要求的應用場景。

優化的電路與佈局

INNDMD72V200A1低壓GaN電機驅動方案採用英諾賽科自研驅動IC+GaN器件的4管並聯結構，從驅動環路到功率環路均經過精心優化，充分發揮GaN器件的高頻、低損耗特性。

完整的電驅測試平台

控制板集成FOC無感算法，支持低邊採樣，用户可連接電機進行實時測試與性能驗證，大大縮短開發週期。

电驱测试平台

實測數據

我們在不同母線電壓與散熱條件下進行了系統測試，以下是部分關鍵數據摘要：

48V母線（散熱器+無風扇）

72V母線（散熱器+無風扇）

72V母線（散熱器+5m/s風冷）

應用領域

機器人關節驅動
無人機推進系統
低壓大功率伺服電機
工業自動化設備

英諾賽科INNDMD72V200A1方案不僅展示了GaN技術在低壓大功率電機驅動中的卓越性能，更提供了從器件選型、電路設計到算法控制的完整解決方案。InnoGaN 將助力新一代電機驅動系統實現更高效率、更小體積、更強帶載能力。

如需獲取詳細方案資料、demo板申請或合作開發支持，歡迎與我們聯繫：MARCOM@innoscience.com

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