聯繫我們英諾賽科(Innoscience)，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領導者今日宣佈其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市！該系列憑藉更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統設計樹立新標杆。
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芯片面積縮減30%：通過先進的工藝優化與結構創新，顯著提升硅片利用率，助力實現更高功率密度設計
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開關性能提升20-30%，電容降低20-30%：有效降低開關損耗與驅動損耗，顯著提升系統整體效率
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熱性能優化：在同等應用條件下，芯片殼温可降低3-6°C，大幅增強系統長期運行可靠性
全新Gen3 700V系列提供豐富的標準封裝選項，滿足多元化應用場景需求：
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DFN5x6 (極致緊湊)
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DFN8x8 (平衡性能與尺寸)
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TO252 (通用性強，散熱佳)
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SOT223 (經典封裝)
其中，採用TO252封裝的旗艦型號INN700TK100E，其典型導通電阻(Ron)低至74mΩ，突破了傳統TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達500W的應用功率等級。
應用拓展與升級
得益於更低的導通電阻(Ron)和開關損耗，Gen3 700V系列為以下應用領域帶來更高效率、更小尺寸的解決方案：
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PD快充/適配器 (尤其高功率)
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LED照明驅動電源
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智能家電電源
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數據中心服務器電源
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工業開關電源(SMPS)
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為設計創造核心價值
英諾賽科第三代700V GaN技術通過實質性的核心參數優化，為電源設計工程師帶來多重價值：
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提升系統能效：顯著降低開關損耗與導通損耗
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優化熱管理：降低器件工作温度，提升系統可靠性
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節省空間與成本：縮小芯片及系統整體尺寸，減少外圍元件需求
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簡化設計升級：提供與現有方案兼容的標準封裝和平滑升級路徑
英諾賽科Gen3 700V氮化鎵功率器件系列，以其可量化的性能優勢——更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及優化的熱管理，為電源設計工程師提供了創新的高性能解決方案，是實現更高功率密度、更高系統效率設計目標的理想選擇。
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