聯繫我們BMS（電池管理系統）是電池系統的核心控制單元，能夠通過實施監控電池的電壓、電流、温度等參數，優化充放電過程，保障電池的安全性與壽命。BMS被視為電池系統的“大腦”， 支撐着大規模電池組高效運行。根據2025年最新行業報告，儲能系統的故障約43%與BMS功能不足或失效有關。而電池系統中的監測、模擬、傳感及保護等多種功能的芯片則是其中的關鍵。
作為全球氮化鎵功率芯片的領導者，英諾賽科率先切入BMS市場。2022年，其開發的40V雙向VGaNTM成功導入OPPO智能手機，成為行業首款進入手機內部的氮化鎵芯片！近年來，基於30V-120V新型雙向氮化鎵研發與製造平台，英諾賽科不斷創新，相繼開發出多款雙向芯片（VGaNTM），並基於VGaNTM開發BMS解決方案，為更安全可靠的BMS系統提供助力。
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雙向導通、雙向關斷能力
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極低的導通電阻
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更寬的SOA邊界
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耐短路衝擊
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一顆可替代兩顆或多顆Si MOS
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超低導通電阻，降低損耗
GaN依賴材料優勢，一顆VGaNTM器件替代兩顆背靠背串聯的MOSFET 等創新結構，可以使得BMS充放電損耗減低40%，可顯著減少能量損耗和發熱。
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體積與重量優勢
單芯片實現能量雙向流動（充電/放電），一顆VGaNTM替代兩顆背靠背的MOSFET，GaN方案體積比Si MOS方案減少30%以上，適合高密度電池包（如無人機、便攜設備），助力BMS小型化。
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高Robustness可靠性
GaN 器件的高擊穿電壓，可以抵抗更高的應用過充電壓；GaN器件閾值電壓温度穩定性和飽和區電流負温度係數等特性，使得器件的安全區更寬。抗擊電路電流能力更強。
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系統成本優化
低損耗減少散熱需求，節省冷卻系統成本；整體BMS成本可下降20%。
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OVP保護
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BMS電池保護
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智能手機USB端口過壓保護
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雙向變換器中的高側負載開關
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多電源系統中的開關電路
方案一：INNDBMS120LS4
應用產品：
INV100FQ030C*8
INS1011SD (VGaN Driver IC)
電流：120A
熱測試：
82.9℃
100A@Ta=33℃/no airflow,no heatsink
79.9℃
120A@Ta=32.2℃/no airflow,with heatsink
方案二：INNDBMS120HS3
應用產品：
INV100FQ030C*8
電流：120A
熱測試：
63.9℃
100A@Ta=32.1℃/no airflow,no heatsink
83.2℃
120A@Ta=36.3℃/no airflow no heatsink
應用產品：
INV100FQ030C*16
電流：180A
熱測試：
73.9℃
150A@Ta=36.8℃/no airflow,no heatsink
88.4℃
120A@Ta=36.3℃/no airflow no heatsink
BMS 是電池系統的“大腦”，直接影響電池安全、壽命和性能。英諾賽科基於8英寸硅基氮化鎵的先發優勢與創新技術，為客户提供了一系列高頻高效、雙向性能、高度集成等特性的VGaNTM芯片與參考方案，不僅解決了BMS系統的安全性與體積瓶頸，也將助力客户快速建立市場競爭力！隨着汽車、儲能等領域對電池BMS需求的擴增，英諾賽科將推出更多適配產品與方案，為客户提供最佳選擇！
目前所有VGaNTM產品資料均可在英諾賽科官網（www.innoscience.com）獲取，如需申請樣品或瞭解更多方案信息，歡迎通過以下郵件與我們聯繫：jiaxinhuang@innoscience.com。
