在消費類電子領域，氮化鎵於手機、筆電快充中的應用已大量普及，大大滿足了消費者對移動設備快速續航的需求。而在手機內部，電源開關依然採用傳統的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅佔據了手機主板的大量空間，且在面對大功率快充時，硅MOSFET會產生較大的温升與效率損耗，影響快充的穩定性與大功率充電持續時間。

氮化鎵作為第三代半導體材料，具備高頻高效、低導阻等優越特性，應用於手機主板也具備極大優勢。

2022年，英諾賽科開創了氮化鎵 40V 器件平台，並率先將雙向導通 VGaN INN040W048A（40V/4.8mΩ）產品成功導入Oppo、Realme 手機主板內部，實現體積減少64%，峯值功率發熱降低85%等優越性能表現，獲得了良好的市場反饋。基於40V 平台的迭代與升級，近期，英諾賽科 VGaN 家族迎來了兩名新成員：INN040W080A、INN040W120A。