8月21日，由寬禁帶半導體國家工程研究中心主辦、多家行業權威機構聯合承辦的“第三屆功率器件製造測試與應用大會（IPF 2025）”在無錫順利召開。會上，英諾賽科董事長駱薇薇博士發表《走進芯時代》主題演講，首次系統闡述了氮化鎵（GaN）技術如何從根源上破解電力電子領域長期存在的“非標準化”難題，引領產業從分散式、手工化的傳統模式，向高度集成、自動化的“芯”時代轉型。

電力電子行業挑戰重重，GaN成破局核心力量

駱薇薇博士在演講中指出，當前我們正全面步入以AI為代表的智能化時代，算力的爆發式增長給電力系統帶來了巨大挑戰。

傳統硅器件因開關損耗高，難以同時兼顧效率與功率密度，這迫使方案商採用硬開關、零電壓開通、零電流關斷等多樣化的拓撲結構，無法實現統一。而氮化鎵的關斷損耗僅為硅的1/15，開通損耗僅為硅的1/3，僅需採用“零電壓開通”這一主流標準拓撲，就能同時實現高效率和高功率密度，既簡化了設計，又提升了性能一致性。

硅器件的低頻特性使得電感等無源器件體積大、匝數多，難以集成到PCB中，只能依賴手工繞制，不僅成本高、差異大，還無法實現自動化生產。氮化鎵的高頻特性則能提升系統頻率，大幅降低對電感值的需求，無源器件可直接集成於PCB板上，實現了自動化製造，進而提升了生產效率和產品可靠性。

在EMI問題上硅方案常依賴經驗性試錯解決，缺乏系統理論支撐。一方面氮化鎵的高頻特性對EMI提出了更嚴苛的要求，推動了行業對EMI的深入研究。另一方面拓撲的標準化和基於PCB繞組的電感和變壓器的應用，使得EMI研究更有針對性。因此，EMI設計和分析從硅方案依賴經驗的“藝術”轉變為氮化鎵方案基於理論分析和系統化設計的“科學”，促進了更嚴謹的EMI解決方案的發展。 

作為第三代半導體材料的代表，氮化鎵（GaN）憑藉高開關頻率、高效率、高功率密度等優勢，在拓撲設計、生產製造和EMI管理領域推動電力電子行業向標準化、自動化與科學化發展，成為行業破局的關鍵驅動力。

GaN在多領域規模化落地，為全球產業賦能 

沙利文報告顯示，隨着技術的成熟與生態的完善，到2028年，全球GaN功率半導體市場規模將突破500億元，複合增長率高達98.5%，產業爆發態勢明顯。

目前，GaN芯片已在多個關鍵領域實現廣泛應用：

AI與數據中心：GaN具備高頻高效、高功率密度、耐高温等優勢，能精準解決數據中心在效率、空間、成本和可靠性方面的核心痛點，是支撐數據中心向高功率密度、綠色低碳方向演進的關鍵。目前，其已在服務器電源、DC/DC模塊電源實現量產。

新能源汽車：氮化鎵的應用可覆蓋電驅、OBC、DC/DC、激光雷達等核心部件。當前，英諾賽科氮化鎵在車載激光雷達市場的佔有率正迅速擴大，下一步將向OBC和DC/DC領域拓展。

機器人：GaN技術突破了傳統硅功率器件在功率密度與控制精度上的瓶頸，單機氮化鎵芯片用量可達288顆，主要應用於關節電機驅動、電源管理系統，能顯著提升機器人的運動性能和續航能力。

IDM實力凸顯，英諾賽科呼籲共建GaN生態 

英諾賽科作為全球首家實現8英寸硅基氮化鎵IDM量產的企業，已構建起從設計、製造到封測的全產業鏈能力，為產品的持續技術迭代提供了可靠保障。

此前，英諾賽科已躋身英偉達Kyber機架系統全球核心供應商，且是唯一入選的中國芯片企業，這標誌着中國GaN芯片技術已達到國際頂尖水平，具備服務全球高端市場的能力。

“氮化鎵的意義遠不止於替代硅，它從拓撲設計、生產製造到EMI治理，全面推動着電力電子走向標準化、自動化和科學化，賦予了‘芯時代’真正的內涵。”駱薇薇博士呼籲產業鏈上下游加強協作，共同構建基於GaN的能源生態體系，助力全球實現更高效、更智能的綠色電子電力未來。