全球領先的氮化鎵 (GaN) 供應商英諾賽科 (Innoscience) 宣佈推出兩款基於 100V 雙冷卻 En-FCLGA 封裝的新產品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，它們可實現太陽能微型逆變器、儲能系統 (ESS)（直流輸入）和最大功率點跟蹤 (MPPT) 優化器的最高效率。

兩款新產品INN100EA050DAD和INN100EA070DAD使用與之前宣佈的產品INN100EA035A相同的封裝（雙冷En-FCLGA 3.3X3.3），這是業界首款用於硅FET的p2p替代品。這允許立即提高效率並增加功率密度。對於36V至80V的輸入，系統功耗降低了50%以上。

Innoscience 領先的 Dual-Cool En-FCLGA 封裝與傳統的單冷卻封裝相比，導熱率高出 65%，從而顯著提高系統熱性能、降低工作温度、提高效率並實現更高的功率密度（降低 BOM 成本）。

產品亮點

先進的100V E-mode GaN技術

• 極低的柵極電荷Q_G,typ @ V_DS

• 超低的導通電阻R_DS(on)

• 佔板面積非常小

100V Dual-cool En-FCLGA

• En-FCLGA3.3X3.3

• Rdson_Max 5~7mohm

• 支持雙面散熱，可直接P2P Source down MOS

性能優勢

• 超低導通電阻，幫助能量損耗大幅降低

• 超低驅動和開關損耗，減少了系統的能量損耗，提高系統的響應速度

• 緊湊尺寸設計，在空間有限的應用場景中優勢明顯

• 雙面散熱，提高散熱效率，有效提升系統的可靠性和穩定性

應用優勢

• PCB Layout友好，垂直電路路徑設計，最小化了PCB寄生電阻

• 系統效率高，36V-80V輸入，系統效率均大於95.5%

• 支持光伏優化器MPPT應用，全面提升效率、降低系統損耗

當前，英諾賽科Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3封裝系列的三款產品INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD 均已成功量產，批量訂單實現交付。

三款產品關鍵參數如下表所示：

Key performance parameters at T_J = 25 °C

此外，英諾賽科100V P2P Drain down MOS 的En-FCLGA 5X6封裝產品組合也即將重磅發佈，電阻涵蓋1.8~5mohm，敬請期待！

詳細資料及樣品申請：jiaxinhuang@innoscience.com（或直接與銷售聯繫）