• 峯值效率：99.03% @230Vac Vin（整流）； 98.95% @230Vac Vout（逆變）
• 開關頻率：PFC 65kHz
• PCBA尺寸：176*100*57(mm)
• 功率密度：65.6W/inch^3
• InnoGaN：ISG6121TD × 4 

4kW雙向PFC方案採用AC-DC無橋圖騰柱PFC拓撲，支持雙向工作。

拓撲結構

SolidGaN™ 助力GaN高功率應用

ISG6121TD 是 SolidGaN™ 產品系列的一部分，該系列產品不僅具備分立式 GaNFET 的所有優勢（關鍵任務應用中的長壽命可靠性、超低開關損耗和零 Qrr），還具備其他先進功能。

• 穩壓 Vgs，可實現最佳的導通電阻 (Rdson) 和柵極節點可靠性

• 去飽和檢測，用於短路保護

• 過温保護

• 米勒鉗位，可實現可靠的關斷

ISG6121TD 採用堅固耐用的 TO247-4L 汽車級熱優化封裝，並帶有開爾文源極引腳。

ISG6121TD 的 Vdss 額定值為 700V，實際 BVdss 電壓更高，導通電阻 (Rdson) 為 22mΩ（典型值 25C）。驅動引腳支持高達 27V 的 PWM 輸入電壓。

ISG6121TD 可以替代 IGBT 和 650V SiC MOSFET，具有顯著更高的 PFC 效率，適用於 AI 數據中心高達 5.5kW 的高功率系統。

如果您對英諾賽科的合封產品或4kW雙向PFC方案感興趣，歡迎在微信公眾號後台留言或通過郵箱（jiaxinhuang@innoscience.com）與我們聯繫。