隨着AI 算力需求的指數級增長，其供電解決方案正面臨高密度化、智能化和低碳化的核心訴求。氮化鎵芯片以其高頻高效、小型化、低損耗的優勢，可以大幅提升數據中心供電解決方案的功率密度和效率，支持AGI（通用人工智能）時代的可持續算力革命。

英諾賽科作為全球氮化鎵工藝創新與功率製造的領導者，早已在數據中心領域開發了完整的產品系列和全鏈路氮化鎵解決方案。繼此前推出的2kW降壓電源方案後，英諾賽科宣佈針對48V系統再次推出行業領先的1.2kW四相降壓電源方案，革新AI算力基建，突破數據中心PUE侷限！

英諾賽科此次推出的多相降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優勢和四相交錯Buck拓撲結構，實現高功率密度緊湊設計，內置超小體積氮化鎵半橋驅動IC和雙面散熱低壓氮化鎵，效率高達98.1%，功率部分佔板面積僅48mmx12mm。

與Si MOS相比，GaN具備更優越的開關特性和更低的開關損耗, 可以帶來更高的轉換效率，更高的開關頻率，更小的磁性器件尺寸和濾波電容的體積，以及更高的功率密度。此次發佈的1.2kW高功率密度多相降壓電源方案採用4顆英諾賽科100V氮化鎵半橋驅動 IC INS2002FQ和8顆100V雙面散熱的低壓氮化鎵INN100EA035A。

英諾賽科100V 增強型功率氮化鎵INN100EA035A，採用En-FCLGA3.3x3.3封裝，具備超低的導通電阻和雙面散熱特性，可以大幅降低能耗並提升散熱能力，是實現高功率密度方案的關鍵。

英諾賽科1.2kW高功率密度多相降壓電源方案採用四相交錯Buck拓撲，每相使用1顆INS2002FQ和2顆INN100EA035A實現功率傳輸。

拓撲結構圖示

該方案採用了鉑科新材料最新開發的高頻磁材，該材料具備高頻損耗小，高飽和磁通密度的特點，可以很好的發揮氮化鎵的高頻優勢，使得整體方案比傳統方案體積減小50%以上，同時結合四相交錯BUCK拓撲，進一步降低了電感和電容的體積，有助於提升系統功率密度，同時具備十分靈活的拓展功能。

在輸入40V-60V，輸出12V/100A的條件下，該方案的最大輸出功率為1200W。典型的48V輸入下，峯值效率達到98.1%@600W，滿載效率為97.5%@1200W。與Si方案相比，效率高1%以上。

效率曲線圖示