英諾賽科宣佈推出新產品 INN100EA035A，這是一款 100V GaN 功率器件，採用先進的雙冷卻 En-FCLGA 封裝，與傳統的單冷卻封裝相比，導熱率高出 65%。改進的熱性能降低了工作温度並提高了效率，從而實現了更高的功率密度，使其成為 AI 服務器 48V DC-DC 電源傳輸的理想選擇。

INN100EA035A 及En-FCLGA系列封裝產品

INN100EA035A是一款100V E-Mode GaN產品，採用En-FCLGA3.3X3.3封裝，Rdson_Max 3.5mohm，雙面散熱，且具有低導通電阻、低柵極電荷、低開關損耗、零反向恢復電荷等特點。這一特性對於效率要求極高的AI和48V電源應用尤為重要。與傳統MOSFET方案相比，該器件功率密度提升大於20%，與業界最先進的Si MOSFET相比，系統功率損耗可降低大於35%。

產品系列

由於其性能和特性，INN100EA035A 被設計用於 AI GPU 電源輸送和多種其他 48V 應用。英諾賽科還發布了基於該技術的產品系列，採用 Dual-Cool 封裝，Rdson（Max25C）範圍從 1.8mohm 到 7mohm，底部源極佔位面積與漏極佔位面積相匹配，可輕鬆用高性能低成本 GaN 解決方案取代傳統的 Si MOSFET 解決方案。

En-FCLGA3.3X3.3 P2P Source down MOS

En-FCLGA 5X6 P2P Drain down MOS

卓越性能

• 超低導通電阻，能量損耗大幅降低
• 超低驅動和開關損耗，減少系統能耗，提高系統響應速度
• 緊湊size，空間有限的應用場景中具有極大的優勢
• 雙面散熱，提高散熱效率，有效提升系統的可靠性和穩定性

應用優勢

• PCB Layout友好，垂直電流路徑設計，最小化PCB寄生電阻
• 系統效率提升1%，相對業界最先進的MOSFET，效率提升1%
• 功率密度提升20%，與傳統MOSFET方案相比，該器件的功率密度提升20%

應用領域

• AI與48V電源領域

這款全新的功率氮化鎵器件憑藉其業界首創的技術、卓越的性能以及顯著的系統應用優勢，必將在AI和48V電源領域掀起一場技術革命。我們相信，它將為廣大客户帶來更高的價值，推動行業的不斷髮展和進步，開啟AI和48V電源領域的新篇章！