• FCQFN 4x6mm 封裝，一顆 GaN 能替代兩顆 MOSFET，較傳統MOSFET 佔板面積可縮小 50%；
• Ron(max) 1.2mΩ，超低導通電阻，較傳統 MOSFET 減少 50%；
• 具有更寬的 SOA，魯棒性高，能耐受短路衝擊。

同時，INV030FQ012A 的封裝與之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替換，給客户更多的電壓選擇，更靈活地調整系統 BOM。

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