近年來，新能源汽車高速發展，電動化和智能化成為兩大趨勢，各大車企已逐步嘗試將第三代半導體用於汽車系統，氮化鎵高開關頻率和高能效優勢能夠很好地幫助實現新能源汽車電動化與智能化的需求。

2023年底，英諾賽科已推出適用於自動駕駛激光雷達系統的100V車規級氮化鎵芯片 INN100W135A-Q（AEC-Q101認證），目前已在多個終端客户中導入設計。為了滿足應用多樣化的需求，英諾賽科基於100V技術平台研發了一款更小封裝體積的（WLCSP 0.9mm x 0.9mm ）100V車規級氮化鎵芯片INN100W800A-Q，延續低導阻、低柵極電荷、低開關損耗以及降低的反向恢復電荷等特性，並通過AEC-Q101 認證。

產品特性

• 通過AEC-Q101車規級認證

• 極低的柵極電荷

• 超小封裝 WLCSP 0.9mm x 0.9mm

• 零反向恢復充電電量

應用領域

• 車載激光雷達

• 高功率密度DC-DC變換器

• 高強度前照燈

• D類音頻

產品優勢

INN100W800A-Q與傳統Si器件相比，具備以下優勢：

• 開關速度提升13倍，脈衝寬度僅為Si的1/5

• 功率損耗更低，温升更低

• 可滿足L2+/L3輔助駕駛

當前，INN100W0135A-Q和INN100W800A-Q均已成功量產，批量訂單交付中。客户可基於不同應用需求進行規格選型。

兩款100V車規級氮化鎵器件的關鍵參數如上圖所示，詳細的產品規格書、仿真模型均可在英諾賽科官網（www.innoscience.com）獲取。