中低壓氮化鎵器件因其優異的電氣特性和超小型化封裝，在電力電子領域尤其是數據中心、光伏與儲能、電機驅動和通信電源等具有廣泛的應用前景。2023年，英諾賽科先後量產了五款100V/150V產品，採用FCQFN封裝，因具備小巧體積，低開關損耗和高效率特性，在電機驅動、高功率密度電源模塊、電池管理系統等終端應用中獲得了良好的市場反饋。

近期，英諾賽科再度推出與FCQFN兼容引腳設計的Topside cooling封裝En-FCQFN的氮化鎵功率器件，全面滿足了應用多樣化和更高散熱的需求。

此次發佈的新品包含4款Single GaN（INN100EQ016A/1.8mΩ、INN100EQ025A/2.8 mΩ、INN150EQ032A/3.9mΩ、INN150EQ070A/7.0mΩ），均採用En-FCQFN 封裝，延續了低導阻、低柵極電荷、低開關損耗和極低的反向恢復電荷等特性，具有良好的效率表現。而相比FCQFN封裝，En-FCQFN 封裝在散熱性能上得到進一步優化，能夠幫助終端應用解決系統温升限制的困擾。

英諾賽科100V~150V GaN 系列此前已有WLCSP、FCQFN、LGA等多種封裝類型產品，涵蓋不同的導通電阻和應用領域。近期新增的4款與FCQFN兼容引腳設計的Topside cooling En-FCQFN封裝芯片，以其不同的導通電阻及不同的封裝類型，拓展了更廣的功率場景，同時優化散熱，解決客户系統過熱問題。而基於大規模8英寸硅基氮化鎵技術的研發、製造與迭代，英諾賽科的產品質量和成本優勢也已在行業中得到體現。

目前，Topside cooling封裝En-FCQFN的4款新產品已成功量產，詳細的產品規格書、可靠性報告、仿真模型均可在英諾賽科官網上獲取。