英諾賽科連續兩年榮獲全球最具潛力第三代半導體技術獎-英諾賽科官網

英諾賽科連續兩年榮獲全球最具潛力第三代半導體技術獎

2023年12月01日

由全球電子技術領域知名媒體集團AspenCore主辦的“國際集成電路展覽會暨研討會”（IIC Shenzhen 2023）於2023年11月2日在深圳大中華交易廣場重磅啟幕。英諾賽科受邀參與IIC高效電源管理及寬禁帶半導體技術應用論壇，並被評選為2023年全球電子成就獎-最具潛力第三代半導體技術企業。

InnoGaN 助力高頻高效高功率密度電源發展

伴隨着中國經濟的持續快速增長，電源產業呈現良好的發展態勢，據中國電源協會預測，到2025年電源市場規模將增至5400億元，2021-2025年CAGR 達11%。同時，在綠色低碳戰略不斷推進與深入進程中，提升能源利用效率和能源轉換效率已成為各行各業的共識。氮化鎵(GaN)作為一種寬禁帶半導體，近年來在應用端的價值被不斷髮掘，其高速、高頻、高效率的特性不斷推動着系統應用的革新，也推動着行業不斷朝着低碳、節能的發展。

英諾賽科市場應用高級主任黃鋒在高效電源管理及寬禁帶半導體技術應用論壇上表示，功率半導體是能源電子的核心支撐，而當前模塊電源性能的發展已達到了瓶頸，需要通過損耗更低的功率半導體如氮化鎵與創新應用設計相結合。會上，黃鋒重點介紹了英諾賽科針對數據中心48V供電架構開發的 LLC-DCX IBC模塊，功率覆蓋從300W-1000W，最高效率超過98%，高性能InnoGaN芯片助力數據中心繫統效率全面提升。

英諾賽科 連續兩年榮獲全球電子成就獎

全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards)旨在評選並表彰對推動全球電子產業創新做出傑出貢獻的企業和管理者，由AspenCore全球資深產業分析師組成的評審委員會以及來自亞、美、歐洲的網站用户羣共同評選。

英諾賽科以其卓越的市場表現，再次被評為2023年度全球最具潛力第三代半導體技術企業，榮獲該獎項的企業還有安森美、Cambridge GaN Devices。全球電子成就獎於行業而言是一項崇高的榮譽，各類獎項獲得提名的企業、管理者及產品均為行業領先者，充分體現了其在業界的領先地位與不凡表現。英諾賽科作為一家致力於第三代半導體硅基氮化鎵研發與製造的IDM企業，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵生產基地。通過大規模量產能力、8英寸先進的生產工藝，英諾賽科開發出多品類、高性能的氮化鎵產品，快速實現了氮化鎵在市場上的廣泛應用。不止於消費類領域，英諾賽科氮化鎵芯片已經在光伏與儲能、自動駕駛等應用中實現大批量交付！