聯繫我們6月28日，廣東省終端快充行業協會第一屆插拔大會UFCS技術研討會順利進行。會上，協會技術委員會、技術研究工作組對快充發展趨勢、UFCS技術標準關鍵要點、UFCS技術前沿成果進行了詳細介紹。
技術專家在會上展示英諾賽科Bi-GaN產品
本屆終端快充行業協會插拔大會加快推動了終端快充技術標準化、標準產業化發展。匯聚了快充產業生態的各方力量，聯合開展面向未來快充產業的相關應用場景、需求、技術、標準的研究及應用推廣。
英諾賽科Bi-GaN產品在手機主板上的應用
在本屆終端快充行業協會插拔大會上，OPPO VOOC閃充之父向公眾首次展示了英諾賽科 Bi-GaN 系列產品，Bi-GaN 系列產品中的 INN40W08 氮化鎵開關管也一併亮相。
英諾賽科 INN40W08 是Bi-GaN產品系列中一款40V增強型開關管，採用WLCSP 2x2封裝，體積十分小巧。芯片支持雙向開關，導通電阻低至7.8mΩ，可應用在智能手機充電過壓保護電路、高壓側負載開關電路、多電源系統的開關電路等場景中。
充電頭網獲悉，OPPO已經有量產機型採用了氮化鎵開關管，成為全球⾸個內置氮化鎵充電保護的手機廠商，後續機型也將大批量應用，在業內具有非凡意義。
BiGaN亮點紛呈
長期以來，手機內部電源開關器件都採用硅材質MOSFET器件，由於體積與阻抗的限制，不僅佔據了手機主板上大量空間，而且在面對大功率快充時，硅MOSFET會產生較大的温升與效率損耗，影響快充的穩定性與大功率持續時間。
氮化鎵作為第三代半導體材料，具備高頻高效、低導阻等優越特性，在充電上具有至關重要的作用。以往的充電保護都是通過將氮化鎵功率器件內置在手機充電器中，Bi-GaN 以創新的方式將氮化鎵芯片內置於手機。
得益於氮化鎵單位面積導阻小以及無寄生體二極管的特性，可以使用1顆Bi-GaN替代之前的共漏連接的背靠背NMOS，實現電池的充電和放電電流的雙向開關，在相同佔板面積下導通電阻降低50%，温升降低40%。
隨着手機充電功率的不斷提升，英諾賽科Bi-GaN系列產品不僅能節省手機內部寶貴的空間，還能降低手機在充電過程中的温升，在快速充電時可以保持比較舒適的機身温度，延長快充持續時間，為用户提供更好的充電使用體驗。
充電頭網獲悉，英諾賽科即將發佈 BiGaN 系列下一代產品——INN040W048A，在尺寸不變的情況下，Rds on 減小50%，導通損耗更小，在更高功率的快充場景中更具競爭力，讓我們拭目以待。
充電頭網總結
在氮化鎵領域深耕多年的英諾賽科，擁有全球領先的芯片製造能力，在8英寸硅基氮化鎵核心技術和關鍵工藝領域實現了重大突破，產品性能已達到國際先進水平，在產品及方案設計上與多家一線品牌開展了深度合作，廣受客户認可。其Bi-GaN產品在智能手機內部電源開關領域的落地，也標誌着氮化鎵應用的全新時代已經到來。
至此，氮化鎵在消費類快充領域的應用已經步入快車道。而在不遠的未來，憑藉其高功率密度、高頻高效的特性，應用範圍還將逐步拓展到新能源汽車、太陽能、數據中心、人工智能、5G通信等領域，成為人們生活中必不可少的一部分。
