近日，英諾賽科參加了在德國舉辦的PCIM展會。據化合物半導體市場瞭解，英諾賽科展出了一款65W ACF（Active Clamp Flyback）參考設計解決方案，功率密度為30W/in3。

據介紹，65W ACF參考設計結合了英諾賽科的INN650D240A650V硅基GaN增強型場效應晶體管。產品尺寸為34 x34.5 x 30.5mm，輸入電壓為90V-265V，USB-PD輸出電壓及電流配置覆蓋5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3.25A。據説，在230V電壓下，該參考設計的效率可達94%以上，無負載功耗低於25mW。

英諾賽科美國總經理表示，ACF拓撲結構基於更快的開關速度和效率以及更小的器件尺寸，能夠滿足高性能、低功耗的市場需求，同時最大程度縮小電源尺寸、降低重量，而英諾賽科GaN FETs將賦能這些應用。據悉，英諾賽科不久後還將推出高功率多端口參考設計方案。