Innoscience All GaN 解決方案加速 USB PD3​​.1 應用
2021年11月26日

11 月 26 日,Innosceience 在 2021(秋季)USB PD & Type-C 亞洲博覽會上展示了其 All GaN 解決方案。 同時,Innoscience高級產品應用經理鄒彥波發表了“高性能全GaN解決方案加速USB PD 3.1應用”的主題演講,分享了他對GaN市場價值和新應用趨勢的見解!

 

Innoscience高級產品應用經理鄒彥波

“USB PD 3.1快充標準帶來了更高的輸出電壓、更高的功率和功率密度。除了手機、平板、筆記本電腦,它們還可以應用於顯示器、相機、無人機、清潔機器人、電源等多個場景。 工具,電動自行車,”鄒彥波指出,“目前Innoscience的GaN器件可以覆蓋所有應用場景。”

然而,USB PD 3.1協議的引入也對電源設計提出了新的挑戰。 GaN功率器件憑藉其出色的效率和高開關頻率,可以完美應對電源設計中的挑戰。

因此,Innoscience 推出了從 65W 到 240W 的全系列 All GaN 解決方案,以進一步提高功率密度和效率。 推出150V GaN芯片,提供All GaN解決方案,與市場上最高標準的150V Si MOS相比,性能提升2-3倍。

據鄒彥波介紹,Innoscience的All GaN解決方案有以下三種類型:65W1C、140W 28V/5A和240W 48V/5A。

其中,基於150V GaN芯片性能升級的65W All GaN解決方案的功率密度可以達到31W/in3。 其效率在 90V AC 時為 93.4%,在 230V 時為 94.7%。

140W方案可支持28V/5A輸出,採用無橋PFC+ACF架構,功率密度30W/in3,尺寸堪比傳統65W快充。

240W(PD3.1 48V5A)方案採用圖騰柱無橋PFC+LLC設計,功率密度41W/in3,一張銀行卡大小。

鄒彥波表示,在量產高低壓GaN器件的同時,Innoscience還致力於提供全鏈路、高效率、高頻、高密度的解決方案,從前端電網側向充電器和到手機內部,交付端到端解決方案並幫助提高能源效率。值得一提的是,在IDM模式的幫助下,Innoscience每兩代產品升級,單片晶圓上的芯片數量可以增加兩倍左右。

得益於豐富的InnoGaN系列產品線,Innoscience在消費類電源市場上遙遙領先。目前出貨量超過4000萬台,已為聯想、努比亞、魅族、ANKER、UGREEN、Baseus、Pisen、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tagic等眾多知名品牌和廠商提供解決方案,並推出與合作伙伴一起提供卓越的 GaN 應用解決方案。

展望未來,鄒彥波表示,All GaN解決方案將在綠色能源、數據中心能源、智能電力和直流樓宇四大領域擁有廣泛的應用機會。 “Innoscience 正在用‘GaN’做一些有意義的事情。如果用 GaN 將整個電源電路的效率提高 5%,假設全球年耗電量為 27 萬億千瓦時,它可以減少 10 億噸碳排放。”

總體而言,作為全球第一家量產8英寸GaN-on-Si芯片的企業,英諾科技正以強勁的銷量引領着全球第三代半導體的發展。隨着Innoscience蘇州工廠的成功量產,也為全面迎接即將到來的GaN黃金時代做好了充分的準備。

原文鏈接:https://laoyaoba.com/n/799609

開啓新的氮化鎵應用
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