聯繫我們2小時、1小時、半小時、15分鐘……“人類的伴侶”手機充電速度，短短几年不斷突破極限。在這個過程中也經常提到氮化鎵這個詞。事實上，得益於以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體技術的快速進步，快充技術現在已經提供了近乎完美的體驗。
根據野村證券3月份發佈的一份行業報告，未來2-3年，第三代半導體將重塑全球電源市場，取代硅製成的功率器件。野村還預測，到2023年，第三代半導體的市值將以每年60%以上的速度增長。在這樣的趨勢下，隨着各大廠商紛紛湧入市場，第三代半導體競爭愈演愈烈。誰將在競爭者中脱穎而出？ Innoscience 可能是最有前途的種子選手。
PCIM Asia 2021會議於9月9日如期舉行，在SiC和GaN技術與應用分析會議分會場，Innoscience產品應用副總裁陳玉林發表了題為“All-GaN系列解決方案和應用”的主題演講。它的應用趨勢”，這是建立在 USB PD3.0 輸出範圍的擴展之上的，這是 USB PD3.1 協議的結果。
隨着電池容量的增加和更好的快充用户體驗，大功率充電器發展迅速； 在功率顯着增加的同時，消費者表現出對更小的充電器的偏好，這隻能通過提供更高功率密度的設備來滿足。 此外，USB PD3.1協議的擴展也對電源設計提出了新的挑戰。 由氮化鎵 (GaN)/碳化硅等寬帶隙材料製成的功率開關以其出色的效率和高開關頻率開啟了電力電子的新時代。
因此，Innoscience推出了全系列的All-GaN解決方案，覆蓋功率從65W到240W，功率密度和效率都有所提升。
據陳玉林介紹，Innoscience All-GaN解決方案分為三種：65W 2C1A、120W單C和240W 48V/5A。
其中，65W方案採用ACF+BUCK架構，功率密度25W/in3，尺寸接近傳統Si 30W快充。
120W方案採用Boost PFC+ACF架構，功率密度38W/in3，尺寸堪比傳統65W快充。
240W（PD3.1 48V5A）方案採用圖騰柱無橋PFC+LLC設計，功率密度41W/in3，一張銀行卡大小。
Innoscience 推出 150V GaN 芯片以提供全 GaN 解決方案。與市面上最高標準的150V Si MOS相比，Ron*Qg小6倍，Ron*Coss 2.4倍，Ron*Area 2.5倍，綜合性能可提升2-3倍。它具有四大優勢：高頻、高邊自驅動同步整流、無反向恢復電荷、更便於包絡跟蹤和集成。
得益於豐富的InnoGaN系列產品線，Innoscience在消費類電源市場上遙遙領先。 Innoscience目前出貨量超過3000萬台，已為聯想、努比亞、Pisen、MOMAX、QCY等60多家客户提供先進的氮化鎵解決方案，並與合作伙伴共同推出卓越的氮化鎵應用解決方案。
展望未來，陳玉林表示，All GaN解決方案將有機會在消費、數據中心和電動汽車三大領域得到廣泛應用。他還透露，在OPPO不久前推出的最新一代智能手機中，其內置的GaN電子開關採用了GaN雙向開關器件。
作為全球第一家能夠量產8英寸硅基氮化鎵的公司，英諾科技正以里程碑式的突破改變並引領全球第三代半導體的發展。 據悉，英諾科技珠海生產基地目前產能為4K晶圓/月。 蘇州產線6月投產量產，一期產能預計達到6K片/月，滿負荷產能達到65K片/月。 隨着蘇州工廠的成功量產，Innoscience 將為迎接 GaN 時代做好充分準備。
