ijiwei. com Innoscience（蘇州）半導體有限公司於6月5日在汾湖高新技術開發區舉行了量產研發大樓奠基儀式，該項目一期預計投資80億元人民幣。 2020年完成廠房建設和設備搬遷，即刻開始量產，使Innosceince成為全球第一家在8英寸硅襯底上量產GaN芯片的公司。隨着產能的逐步提升，到2021年底可實現月產6000片晶圓。到2022年底，蘇州工廠8英寸GaN-on-Si的年產能將達到78萬片，預計產量年產值150億元，利税15億元。

上海市政府副祕書長、上海市發展和改革委員會主任、長三角一體化示範區執行委員會主任華元，創新科技董事長羅維維，常務副主任沉國芳蘇州市人大代表、吳江區委書記李明、國家集成電路產業投資基金總裁丁文武、長三角一體化示範區執行委員會副主任、副主任唐曉東江蘇省發改委、蘇州市工業和信息化局局長萬裏、英諾科總經理孫在恆、吳江區委常委、工委黨組書記、管理處處長張炳高汾湖高新技術開發區委員會，吳玲，主席第三代半導體產業技術創新戰略聯盟常務委員、吳江區副區長錢宇、SK集團大中華區總裁吳作義、招銀國際首席投資官王洪波共同揭牌量產儀式。轟隆隆的炮聲和絢麗的煙花預示着Innoscience的發展新階段。

GaN基材料的量產意味着公司進入了快車道，研發是Innoscience前進的基礎。與量產儀式同時舉行的還有，8英寸硅基氮化鎵芯片生產線一期一期擴能項目簽約儀式及研發大樓奠基儀式。憑藉其強大的研究能力和能力，四部委（發改委、工業和信息化部、財政部、海關總署）將英諾科技作為0.25微米及以下芯片製造的重點支持對象。先進的技術。 Innoscience也是中國第一個遵循國家發改委窗口指導的第三代半導體項目。同時，作為蘇州獨角獸孵化器，英諾科技承擔了多項國家相關部委、省部級重點研發項目。研發大樓的破土動工預示着未來會有更多的創新在這裏湧現。

Innoscience 總經理 SON JAYHYUNG 指出，經過 7 年多的發展，硅正在達到極限，而 GaN 是未來工業發展的潛在材料。近兩年來，基於GaN的市場應用取得了諸多突破，並開始滲透到消費電子、工業和汽車市場。尤其是GaN在快充、車載激光雷達、手機、5G、新能源汽車、無線充電、數據中心等領域展現出巨大的潛力。孫在恆強調：“我相信GaN基應用將成為未來十年半導體行業增長最快的領域，現在Innoscience的蘇州工廠已準備好量產，我們已做好充分準備擁抱GaN時代。”

招銀國際（CMBI）首席投資官王洪波表示，作為全球首家建設GaN IDM量產線的公司，英諾科技以里程碑式的突破改變並引領了全球第三代半導體的發展。他相信GaN的意義和價值在未來會被挖掘出來。 “作為 Innoscience 最早的投資方，招銀國際首次通過 Power Point 演示做出投資決定。作為管理千億財富池的投資者，我們的價值不是精明地積累財富，而是為最優秀的創業者配置資源，與他們一起改變世界。”王洪波指出，“成功量產對我們來説是一個值得驕傲的時刻，我們也感謝政府和上下游合作伙伴在我們投資Innoscience時給予我們的大力支持。第三代半導體產業的發展才剛剛開始，重要的是產業的所有合作伙伴共同發展生態系統，創造更美好的未來。”

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主任吳玲表示，中國對碳達峯和碳中和的莊嚴承諾，以及以新能源為特色的新電力體系的建立，意味着第三代半導體產業可以釋放市場潛力巨大，發展勢頭強勁。 “英諾科技8英寸硅基氮化鎵量產處於世界前列，但中國化合物半導體特別是第三代半導體要走在世界前列還有很長的路要走。在碳化硅、襯底等功率半導體等未來顛覆性技術方面，中國與世界主要參與者仍有巨大差距。此外，還需要在研發體系和產業生態系統上進行改進。”吳玲強調，“十四五”明確提出集成電路、碳化硅、氮化鎵等重點發展領域。預計英諾賽科將在未來發揮引領作用，帶動產業發展，為人類綠色低碳可持續發展貢獻力量，助力創造美好未來。”

英諾賽科（蘇州）半導體有限公司成立於2017年10月，註冊資本27億元，是一家致力於第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高科技企業。公司採用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片製造、測試與失效分析於一體，產品涵蓋30-900V功率半導體器件、IC及射頻RF器件，是全球唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司。截止目前，公司員工超1000名，國內外核心專利申請超500項。

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