1月18日至19日，以“湾区‘芯’力量，共赢‘芯’未来”为主题的大湾区化合物半导体生态应用大会暨半导体产业CEO大会在珠海高新区隆重举办。本次大会聚焦化合物半导体产业生态构建与应用落地，汇聚了产业链各环节的智慧力量，为第三代半导体产业的发展构建新蓝图。

以氮化镓为代表的宽禁带半导体技术，正成为推动储能革命、汽车电动化升级、数据中心算力突破的核心引擎。英诺赛科作为第三代半导体氮化镓行业的引领者，承办氮化镓产业发展及应用分论坛，集结了宁德时代、东科半导体、汇川、富士康、意法半导体、小鹏汽车、台达、美的等产业链上下游的领军企业嘉宾共聚，分享第三代半导体最前沿的技术实践、产业洞察，并探讨基于氮化镓应用的创新思考。

《氮化镓产业现状及展望》 吴金刚 英诺赛科

英诺赛科集团总经理吴金刚博士作为论坛主持人，率先分享。报告中，吴金刚博士从材料、应用、市场、生态多维度分析了氮化镓产业的现状和发展。他指出，氮化镓凭借其优越的材料特性在高频、高效、高功率密度场景中发挥了极大优势。当前氮化镓也已经在手机OVP、快充、家电、车载OBC、储能、机器人关节及数据中心电源模块等产品中实现规模化应用。英诺赛科作为全球少数具备IDM全产业链能力的氮化镓供应商，已完成了从15V-1200V全电压平台布局，累计出货量超20亿颗。并与产业链上下游企业如意法半导体、安森美、联合汽车电子、美的、英伟达等协同合作，加速氮化镓应用向多个领域渗透。

《氮化镓赋能，实现高效能、超紧凑的一体伺服革新》 彭君 江苏意优机器人科技有限公司

在报告中，彭君先生以意优机器人的实际应用为例，介绍了氮化镓在机器人关节驱动中的优势。他认为，氮化镓所具备的高频、低开关损耗、无反向恢复等特性，完美符合电器驱动能效的提升，同时降低温升、提高功率密度，并支持更高PWM频率，以提升电流环带宽与控制精度。意优科技等企业已经将其应用于人形机器人关节模组，实现小体积、高扭矩、轻量化的驱动方案，推动机器人产业化落地。

《数据中心算力基础设施GaN供电方案》 任海  超聚变数字技术股份有限公司

在AI算力爆发式增长的今天，数据中心供电系统正面临效率与密度的双重挑战。任海先生在现场系统阐述了氮化镓技术在数据中心供电方案中的应用价值和发展路径。他表示，随着AI算力需求的爆发式增长，数据中心系统面临着高功率、高密度、高效率的挑战。氮化镓凭借及开关频率、低导通损耗等特性可以显著提升电源功率密度与转换效率。并展示了超聚变氮化镓电源产品从3000W-5000W的演进路线，及其在800V高压直流架构中的应用潜力。

《联合汽车电子单级式车载充配电单元的氮化镓应用方案》 崔永生  联合汽车电子有限公司

车载电源系统正朝着高频化、集成化、高效率方向快速演进。崔永生先生表示，基于双向氮化镓器件的单级式拓扑架构，能够省去传统PFC电感和电解电容，在实现系统峰值效率超过96%的同时，将功率密度提升至6.3KW/L，并大幅降低系统成本和体积。联合电子新一代CharCON 集成OBC和DCDC，采用英诺赛科氮化镓，实现了超过96.5%的峰值效率和240kHz开关频率，同时具备双面散热与极简制造工艺，为电动汽车的续航和紧凑设计提供可靠的解决方案。

《储能系统与功率半导体协同发展思考》 李春鹏  时代天源（深圳）科技有限公司

储能系统是构建新型电力系统的关键支撑，而功率半导体是其高效运行的核心。李春鹏先生指出，储能市场正迎来十年黄金增长期，储能系统的竞争力高度依赖碳化硅和氮化镓等功率电子技术的进步。当前，储能PCS向高压大功率（2000V+）与组串式发展；采用SiC、GaN等器件可显著提升效率与功率密度。但GaN需要解决EMC设计上的挑战。只有将功率半导体与拓扑、封装、散热技术协同创新，才能推动储能系统实现更高效率、更优成本和高可靠性。

《硅基氮化镓在开关电源中的应用及优势》 谢勇  东科半导体（安徽）股份有限公司

谢勇先生现场讲述氮化镓在电源领域的应用，以1970年代至今电源技术的发展历程为例，多维度对比了氮化镓与硅的特性。他表示，与硅相比，氮化镓能显著降低导通与开关损耗，支持软开关拓扑（如LLC、ACF），并推动电源向高频、高效、小型化发展。报告还分析了D-mode GaN 和E-mode GaN技术路线，凸显氮化镓在多种电源拓扑中的性能优势。

《氮化镓在AI数据中心模块电源的应用》 刘孝臣  深圳市雷能混合集成电路有限公司

刘孝臣先生通过数据中心的市场分析、技术对比和实际案例，详细展示了氮化镓在数据中心电源模块的应用。他表示，当前随着AI算力需求的爆发式增长，数据中心功耗急剧上升，对电源模块的功率密度、效率和散热提出了更高要求。而氮化镓所具备的优越特性则完美契合高开关频率与功率密度的需求，可全面提升整机效率。采用英诺赛科氮化镓的8KWKW PDB，功率密度显著提升，整机效率峰值超过98%，同时大幅降低温升，助力实现更高集成度、更小尺寸的数据中心电源解决方案。

《Maximising high density for energy innovation in high-voltage gallium nitride converters》 Francesco Muggeri  意法半导体

意法半导体Francesco Muggeri 先生以氮化镓助力能源创新为主题，向与会人员强调第三代半导体技术是推动能源转型的核心力量。他指出，氮化镓技术可显著提升转换效率（如数据中心电源效率超98%），降低系统体积与能耗，助力实现更高功率密度和更低碳排放。氮化镓在AI服务器电源、家电电机驱动、车载充电器等场景中表现突出，不仅能提升能效，还能简化拓扑结构，优化系统成本。

《Micro LED 微显示产业化破局之路》 陈叠峰  星钥半导体（武汉）有限公司

陈叠峰先生以AR眼镜和未来AI交互方式开篇，引出Micro LED的重要性和当前挑战。他表示，Micro LED 具备高亮度、高对比度、低功耗等优势，是AR眼镜的理想选择，但其产业化面临着诸多挑战，传统大尺寸蓝宝石衬底与巨量转移技术难以满足高PPI、小像素的微显示需求；全彩化集成、外延衬底选择、半导体工艺整合等技术尚未成熟。而星钥以“硅基氮化镓外延+混合键合晶圆集成+IDM模式”为核心路径，突破产业化瓶颈。星钥依托英诺赛科氮化镓工艺经验，构建了Micro LED完整的IDM体系及技术，支持高精度单片集成，更适合微显示应用，可为AR/元宇宙设备提供高性能、规模化的Micro LED显示解决方案。

本次氮化镓产业发展论坛汇集九大应用技术报告，全面呈现氮化镓从高效能一体方案到车载充配电单元，从AI数据中心模块电源到Micro LED产业化的多元赋能，氮化镓正加速从消费电子向家电、工业、汽车、数据中心、显示等全领域渗透。英诺赛科氮化镓产业发展及应用论坛的成功举办，为行业交流与发展打开思路，希望通过产业链上下游的合作推动氮化镓技术创新与产业协同，重塑能源与电子生态！