德国当地时间2026年7月3日，慕尼黑地区法院就英飞凌在德国针对英诺赛科主张的一项专利作出一审判决。该裁决再次证明，英诺赛科目前销售的氮化镓（GaN）功率器件产品不受英飞凌德国专利诉讼影响，可继续在德国市场自由销售。

英飞凌在德国共主张四项专利。慕尼黑地区法院此前已分别就其中三项专利作出一审判决，7月3日的判决涉及最后一项专利。上述系列判决传递出一致且明确的信息：英飞凌相关德国专利的保护范围十分有限。英诺赛科现有产品所采用的新设计与德国诉讼中涉及的历史产品存在实质性差异，因此不落入相关专利的保护范围，不受德国法院判决影响。

对于英飞凌在其新闻稿中宣称“德国和美国法院反复认定英诺赛科产品侵权”的说法，该表述具有明显误导性。美国国际贸易委员会（ITC）于2026年5月7日作出的最终裁决已明确认定，英诺赛科采用新设计的现有产品不侵犯英飞凌主张的专利，可继续在美国市场自由进口和销售；ITC裁定侵权的仅是早已停产停售的历史产品。德国法院判决所涉及的情况与美国一致。随着7月3日英飞凌在德国主张的最后一项专利完成一审审理，英飞凌在德国和美国针对英诺赛科发起的相关诉讼已基本尘埃落定，其试图借助专利诉讼限制英诺赛科发展的目标全盘落空。

相反，英诺赛科在中国控告英飞凌侵权的案件获得重大实质性胜利。苏州市中级人民法院已认定英飞凌侵犯英诺赛科两项GaN发明专利，并判令停止侵权及赔偿损失；相关禁令随后获得最高人民法院维持。2026年7月1日，英飞凌无视上述判决在上海慕尼黑电子展展示被认定侵权的相关产品，被当众勒令撤展下架。英飞凌多款高端功率芯片在中国全面禁售。

英诺赛科始终坚持以技术创新和知识产权为基础开展市场竞争，并通过法律途径积极维护自身合法权益。未来，英诺赛科将继续坚持自主创新，为全球客户提供领先、高效、可靠的氮化镓（GaN）解决方案，推动半导体产业持续发展。