在消费类电子领域，氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及，大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部，电源开关依然采用传统的硅MOSFET，其体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板的大量空间，且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳定性与大功率充电持续时间。

氮化镓作为第三代半导体材料，具备高频高效、低导阻等优越特性，应用于手机主板也具备极大优势。

2022年，英诺赛科开创了氮化镓 40V 器件平台，并率先将双向导通 VGaN INN040W048A（40V/4.8mΩ）产品成功导入Oppo、Realme 手机主板内部，实现体积减少64%，峰值功率发热降低85%等优越性能表现，获得了良好的市场反馈。基于40V 平台的迭代与升级，近期，英诺赛科 VGaN 家族迎来了两名新成员：INN040W080A、INN040W120A。