联系我们英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展
2024年10月12日
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双向导通能力 -
先进的超低导通电阻低压技术 -
超小封装体积 -
零反向恢复充电电量
产品优势
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FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%； -
Ron(max) 1.2mΩ，超低导通电阻，较传统 MOSFET 减少 50%； -
具有更宽的 SOA，鲁棒性高，能耐受短路冲击。
同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替换，给客户更多的电压选择，更灵活地调整系统 BOM。
应用领域
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高边负载开关 -
过压保护 -
电池保护
INV030FQ012A 规格书首页
截至目前，英诺赛科已发布 VGaN 系列产品共6款，覆盖电压范围30V~100V，方便客户根据自身的产品定制选择。
VGaN 产品汇总表
新品 INV030FQ012A 当前已进入量产阶段，可通过官网查询详细产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。如需申请样品，欢迎通过以下邮件与我们联系。
jiaxinhuang@innoscience.com
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