中低压氮化镓器件因其优异的电气特性和超小型化封装，在电力电子领域尤其是数据中心、光伏与储能、电机驱动和通信电源等具有广泛的应用前景。2023年，英诺赛科先后量产了五款100V/150V产品，采用FCQFN封装，因具备小巧体积，低开关损耗和高效率特性，在电机驱动、高功率密度电源模块、电池管理系统等终端应用中获得了良好的市场反馈。

近期，英诺赛科再度推出与FCQFN兼容引脚设计的Topside cooling封装En-FCQFN的氮化镓功率器件，全面满足了应用多样化和更高散热的需求。

此次发布的新品包含4款Single GaN（INN100EQ016A/1.8mΩ、INN100EQ025A/2.8 mΩ、INN150EQ032A/3.9mΩ、INN150EQ070A/7.0mΩ），均采用En-FCQFN 封装，延续了低导阻、低栅极电荷、低开关损耗和极低的反向恢复电荷等特性，具有良好的效率表现。而相比FCQFN封装，En-FCQFN 封装在散热性能上得到进一步优化，能够帮助终端应用解决系统温升限制的困扰。

英诺赛科100V~150V GaN 系列此前已有WLCSP、FCQFN、LGA等多种封装类型产品，涵盖不同的导通电阻和应用领域。近期新增的4款与FCQFN兼容引脚设计的Topside cooling En-FCQFN封装芯片，以其不同的导通电阻及不同的封装类型，拓展了更广的功率场景，同时优化散热，解决客户系统过热问题。而基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代，英诺赛科的产品质量和成本优势也已在行业中得到体现。

目前，Topside cooling封装En-FCQFN的4款新产品已成功量产，详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型均可在英诺赛科官网上获取。