近日，英诺赛科参加了在德国举办的PCIM展会。据化合物半导体市场了解，英诺赛科展出了一款65W ACF（Active Clamp Flyback）参考设计解决方案，功率密度为30W/in3。

据介绍，65W ACF参考设计结合了英诺赛科的INN650D240A650V硅基GaN增强型场效应晶体管。产品尺寸为34 x34.5 x 30.5mm，输入电压为90V-265V，USB-PD输出电压及电流配置覆盖5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3.25A。据说，在230V电压下，该参考设计的效率可达94%以上，无负载功耗低于25mW。

英诺赛科美国总经理表示，ACF拓扑结构基于更快的开关速度和效率以及更小的器件尺寸，能够满足高性能、低功耗的市场需求，同时最大程度缩小电源尺寸、降低重量，而英诺赛科GaN FETs将赋能这些应用。据悉，英诺赛科不久后还将推出高功率多端口参考设计方案。